索尼半导体解决方案公司田中洋志获国家专利权
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龙图腾网获悉索尼半导体解决方案公司申请的专利图像传感器和成像装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114556573B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080071501.2，技术领域涉及：H04N5/00；该发明授权图像传感器和成像装置是由田中洋志;守屋雄介;重歳卓志设计研发完成，并于2020-09-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本图像传感器和成像装置在说明书摘要公布了：本发明提高了图像传感器的感度。所述图像传感器包括多个像素和遮光壁。包括在所述图像传感器中的多个像素各自包括配置在半导体基板上并对照射的入射光执行光电转换的光电转换单元以及将入射光会聚到所述光电转换单元上的片上透镜。包括在所述图像传感器中的遮光壁在所述多个像素之间的边界处与所述半导体基板相邻配置并且被构造成使得所述遮光壁的入射光照射侧具有锥形截面以遮挡入射光。
本发明授权图像传感器和成像装置在权利要求书中公布了：1.一种图像传感器，包括： 多个像素，每个像素包括配置在半导体基板上并对照射的入射光执行光电转换的光电转换单元以及将入射光会聚到所述光电转换单元上的片上透镜；和 遮光壁，所述遮光壁在所述多个像素之间的边界处与所述半导体基板相邻配置并且被构造成使得所述遮光壁的入射光照射侧具有锥形截面以遮挡入射光， 其中，在截面图中，所述遮光壁的锥形斜面从所述半导体基板的表面的仰角被设定为大于θ， 其中，θ＝90+φ2， φ＝arctanhb， b＝w2+d， 其中，在所述截面图中，所述遮光壁的彼此面对的所述锥形斜面形成所述遮光壁的顶点，在所述顶点和与所述遮光壁对向的遮光壁的对向侧的壁面与所述半导体基板的所述表面相接的点之间连线，φ为所述连线与所述半导体基板的所述表面形成的角度， h为所述遮光壁的高度， w为所述遮光壁的宽度， d为所述像素的光接收面的半导体基板部分的宽度。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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