富士电机株式会社阿形泰典获国家专利权
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龙图腾网获悉富士电机株式会社申请的专利半导体装置和半导体装置的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113711364B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080026129.3，技术领域涉及：H10D62/60；该发明授权半导体装置和半导体装置的制造方法是由阿形泰典设计研发完成，并于2020-09-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置和半导体装置的制造方法在说明书摘要公布了：提供一种半导体装置，其具备具有上表面和下表面的半导体基板，半导体基板的深度方向上的氢化学浓度分布具有第一氢浓度峰以及配置于比第一氢浓度峰更靠半导体基板的下表面侧的位置的第二氢浓度峰，第一氢浓度峰和第二氢浓度峰之间的中间施主浓度与第一氢浓度峰和半导体基板的上表面之间的上表面侧施主浓度以及第二氢浓度峰和半导体基板的下表面之间的下表面侧施主浓度都不同。中间施主浓度可以比上表面侧施主浓度和下表面侧施主浓度都高。
本发明授权半导体装置和半导体装置的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，具备： 半导体基板，其具有上表面和下表面， 所述半导体基板的深度方向上的氢化学浓度分布具有： 第一氢浓度峰；以及 第二氢浓度峰，其配置于比所述第一氢浓度峰更靠所述半导体基板的所述下表面侧的位置， 所述第一氢浓度峰和所述第二氢浓度峰之间的中间施主浓度高于所述第一氢浓度峰和所述半导体基板的所述上表面之间的上表面侧施主浓度和所述第二氢浓度峰和所述半导体基板的所述下表面之间的下表面侧施主浓度，或者所述第一氢浓度峰和所述第二氢浓度峰之间的中间施主浓度低于所述第一氢浓度峰和所述半导体基板的所述上表面之间的上表面侧施主浓度和所述第二氢浓度峰和所述半导体基板的所述下表面之间的下表面侧施主浓度。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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