福建省晋华集成电路有限公司童宇诚获国家专利权
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龙图腾网获悉福建省晋华集成电路有限公司申请的专利存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114582872B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210203595.5，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权存储器是由童宇诚;张钦福;詹益旺设计研发完成，并于2020-06-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器在说明书摘要公布了：本发明提供了一种存储器，直接利用位线结构界定出若干节点接触窗，由于此时节点接触窗的高度较低，深宽比较小，在节点接触窗中形成第一电性传输层时，对第一电性传输层的形成工艺要求较小；形成第一电性传输层之后再形成间隔图案，相邻的间隔图案之间通过开口间隔，开口至少露出第一电性传输层的部分顶部，形成第二电性传输层于开口中，由于此时开口的高度较低，深宽比较小，在开口中形成第二电性传输层时，对第二电性传输层的形成工艺要求也较小，并且，将第二电性传输层与第一电性传输层电性连接后构成节点接触结构，在此步骤中不会对存储器造成不良影响。
本发明授权存储器在权利要求书中公布了：1.一种存储器，其特征在于，包括： 衬底； 多条位线结构，位于所述衬底上并界定出若干节点接触窗，所述位线结构包括位线导电层及覆盖所述位线导电层的位线遮蔽层； 第一电性传输层，位于所述节点接触窗中，所述第一电性传输层至少填充部分深度的节点接触窗，所述第一电性传输层的顶面低于所述位线遮蔽层的顶面； 第二电性传输层，覆盖所述第一电性传输层的部分顶部及所述位线遮蔽层的部分顶部并与所述第一电性传输层电性连接；以及， 间隔图案，覆盖所述位线遮蔽层的剩余顶部及所述第一电性传输层的剩余顶部，以间隔相邻的第二电性传输层； 所述间隔图案的底部与所述第一电性传输层的顶部相接触，所述间隔图案包括缓冲材料层、以及覆盖所述缓冲材料层的绝缘材料层，其中所述缓冲材料层和所述绝缘材料层的侧壁均直接接触所述第二电性传输层的侧壁。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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