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龙图腾网获悉迈来芯电子科技有限公司申请的专利用于确定磁通量的杂散场免疫的磁场传感器布置、磁扭矩传感器布置和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112114278B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010558757.8，技术领域涉及：G01R33/02；该发明授权用于确定磁通量的杂散场免疫的磁场传感器布置、磁扭矩传感器布置和方法是由J·毕尔巴鄂德蒙迪扎巴尔设计研发完成，并于2020-06-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于确定磁通量的杂散场免疫的磁场传感器布置、磁扭矩传感器布置和方法在说明书摘要公布了：一种用于以基本上杂散场免疫的方式确定信号磁通量的磁场传感器布置220，包括：信号磁场源S1；第一磁通聚集器和第二磁通聚集器，在磁通聚集器的外部面204，205之间形成气隙203；磁通聚集器被配置为用于将信号磁通量在间隙方向206上引导到并穿过气隙203；磁场传感器207，被布置在气隙203内部并且被配置为用于测量在气隙方向上和垂直于气隙方向上的第一信号和第二信号Bx，Bz；并且用于基于第一信号和第二信号Bx，Bz减少或消除磁干扰场。角度传感器布置。扭矩传感器。一种以基本上杂散场免疫的方式测量信号磁通量、角度、扭矩的方法。

本发明授权用于确定磁通量的杂散场免疫的磁场传感器布置、磁扭矩传感器布置和方法在权利要求书中公布了：1.一种磁场传感器布置，用于以对磁干扰场基本上免疫的方式确定由信号磁场源生成的信号磁通量，所述磁场传感器布置包括： -所述信号磁场源； -第一磁通聚集器和第二磁通聚集器，所述第一磁通聚集器和第二磁通聚集器形成气隙； -磁场传感器，所述磁场传感器包括多个传感器元件； -所述传感器元件中的至少一个传感器元件，所述至少一个传感器元件位于所述气隙中； -磁场传感器，所述磁场传感器被配置为：如果所述磁干扰场存在，则减少所述磁干扰场的影响； 其特征在于： -所述第一磁通聚集器和所述第二磁通聚集器被配置并被布置为使得在所述第一磁通聚集器的外部面和所述第二磁通聚集器的外部面之间形成所述气隙，其中所述第一磁通聚集器的外部面和所述第二磁通聚集器的外部面通过所述第一磁通聚集器的外部面和所述第二磁通聚集器的外部面之间的最短距离的线来限定所述气隙的第一方向； -所述第一磁通聚集器和所述第二磁通聚集器被配置为用于将由所述信号磁场源生成的信号磁通量基本上在所述第一方向上引导到并穿过所述气隙； -包括所述多个传感器元件的所述磁场传感器布置在所述气隙内部； -所述磁场传感器被配置为用于测量指示在所述第一方向上定向的磁场分量的第一信号，以及用于测量指示在基本上垂直于所述第一方向的第二方向上定向的磁场分量的第二信号； -所述磁场传感器被配置为：如果所述磁干扰场存在，则通过使用所测得的第二信号对所测得的第一信号进行校正，以便减少或消除所述磁干扰场的影响，其中，所述磁场传感器被配置为：如果所述磁干扰场存在，则通过用预定义常数缩放所述第二信号，并通过从所述第一信号中减去经缩放信号来减少或基本上消除所述磁干扰场的影响。

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