台湾积体电路制造股份有限公司林杰峯获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110660801B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910208295.4，技术领域涉及：H10D84/85；该发明授权半导体装置是由林杰峯;杨筱岚;林志勇设计研发完成，并于2019-03-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体装置。该半导体装置中的第一栅极结构与第二栅极结构各自在第一方向中延伸。第一导电接点与第二导电接点各自在第一方向中延伸，且第一导电接点与第二导电接点以及第一栅极结构与第二栅极结构在第二方向中分开。第一隔离结构在第二方向中延伸，并分开第一栅极结构与第二栅极结构。第二隔离结构在第二方向中延伸，并分开第一导电接点与第二导电接点。第一栅极结构电性耦接至第一电性节点。第二栅极结构电性耦接至第二电性节点，且第一电性节点与第二电性节点不同。第一导电接点电性耦接至第二电性节点。第二导电接点电性耦接至第一电性节点。
本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，包括： 一第一栅极结构与一第二栅极结构，各自在一第一方向中延伸； 一第一导电接点与一第二导电接点，各自在所述第一方向中延伸，其中所述第一导电接点以及所述第二导电接点在一第二方向中与所述第一栅极结构以及所述第二栅极结构分开，且所述第一方向与所述第二方向不同； 一第一隔离结构，在所述第二方向中延伸，其中所述第一隔离结构分开所述第一栅极结构与所述第二栅极结构；以及 一第二隔离结构，在所述第二方向中延伸，其中所述第二隔离结构分开所述第一导电接点与所述第二导电接点； 其中所述第一栅极结构电性耦接至一第一电性节点； 所述第二栅极结构电性耦接至一第二电性节点，且所述第一电性节点与所述第二电性节点不同； 所述第一导电接点电性耦接至所述第二电性节点；以及 所述第二导电接点电性耦接至所述第一电性节点。
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