长鑫存储技术有限公司吴双双获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利电容器阵列结构、半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110970402B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201811151394.5，技术领域涉及：H10D1/68；该发明授权电容器阵列结构、半导体器件及其制备方法是由吴双双设计研发完成，并于2018-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本电容器阵列结构、半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种电容器阵列结构、半导体器件及其制备方法，在原有电容阵列结构的边界基础上增加一由绝缘材料形成的边界保护层，能够将在导电接触插塞制作工艺中由于电容阵列结构边界不平整产生的裂缝与电容阵列结构边界分隔开，从而避免因所述裂缝而造成导电接触插塞与电容阵列结构边界短路的问题，提高电容器件的可靠性。
本发明授权电容器阵列结构、半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种电容器阵列结构，其特征在于，包括： 衬底，具有用于形成电容器阵列的器件区； 下电极层，设置在所述衬底的器件区上，且所述下电极层具有呈阵列排布的多个筒状结构； 电容介质层，覆盖在所述下电极层的内外表面上； 上电极层，覆盖于所述电容介质层的表面上； 上电极填充层；覆盖在所述上电极层的表面上并填满所述上电极层中的间隙，所述上电极填充层具有凹凸不平形貌的外侧壁；以及， 边界保护层，所述边界保护层至少覆盖在所述上电极填充层的所述外侧壁上，且所述边界保护层为绝缘材料； 上电极覆盖层，所述上电极覆盖层覆盖在所述上电极填充层的表面上，并具有与所述上电极填充层的所述外侧壁对应的不平整外侧壁；且所述电容介质层、所述上电极层、所述上电极填充层以及所述上电极覆盖层依次延伸覆盖在整个所述器件区的表面上；所述边界保护层至少覆盖所述上电极覆盖层的所述不平整外侧壁上。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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