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龙图腾网获悉杭州极弱磁场国家重大科技基础设施研究院申请的专利一种磁屏蔽舱的消磁方法、装置、计算机设备及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120072464B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510552066.X，技术领域涉及：H01F13/00；该发明授权一种磁屏蔽舱的消磁方法、装置、计算机设备及存储介质是由刘金生;张露;孙泽奇;胡宇晴;郑越;姚科安设计研发完成，并于2025-04-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种磁屏蔽舱的消磁方法、装置、计算机设备及存储介质在说明书摘要公布了：本发明涉及磁屏蔽舱及消磁技术领域，公开了一种磁屏蔽舱的消磁方法、装置、计算机设备及存储介质，消磁方法包括：向磁屏蔽舱的消磁线圈施加饱和电流，将磁屏蔽舱预磁化至磁饱和状态；向磁屏蔽舱的消磁线圈施加分阶段的衰减振荡电流，逐步减少磁屏蔽舱的磁化程度；实时监测磁屏蔽舱的磁化程度，通过闭环反馈机制动态调整电流衰减的参数，直至磁屏蔽舱的磁化程度达到目标要求。通过分阶段退磁策略与闭环反馈机制的协同作用，实现了对大型磁屏蔽舱内多层坡莫合金材料的高效、精准消磁。

本发明授权一种磁屏蔽舱的消磁方法、装置、计算机设备及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种磁屏蔽舱的消磁方法，其特征在于，所述方法包括： 向磁屏蔽舱的消磁线圈施加饱和电流，将磁屏蔽舱预磁化至磁饱和状态； 向磁屏蔽舱的消磁线圈施加分阶段的衰减振荡电流，逐步减少磁屏蔽舱的磁化程度； 实时监测磁屏蔽舱的磁化程度，通过闭环反馈机制动态调整电流衰减的参数，直至磁屏蔽舱的磁化程度达到目标要求； 所述向磁屏蔽舱的消磁线圈施加分阶段的衰减振荡电流，逐步减少磁屏蔽舱的磁化程度，包括： 第一阶段，向磁屏蔽舱的消磁线圈施加第一频率的衰减振荡电流，直至磁屏蔽舱的磁化程度达到第一预设要求； 第二阶段，向磁屏蔽舱的消磁线圈施加第二频率的衰减振荡电流，直至磁屏蔽舱的磁化程度达到第二预设要求，所述第二频率小于所述第一频率； 第三阶段，向磁屏蔽舱的消磁线圈施加第三频率的衰减振荡电流，直至磁屏蔽舱的磁化程度达到第三预设要求，所述第三频率小于所述第二频率； 所述实时监测磁屏蔽舱的磁化程度，通过闭环反馈机制动态调整电流衰减的参数，直至磁屏蔽舱的磁化程度达到目标要求，包括： 实时采集消磁线圈的电流、端电压、磁屏蔽舱内多点磁场强度及外部扰动磁场； 根据磁屏蔽舱的磁化状态及外部扰动磁场，预测下一步的磁化轨迹及残余磁场分布； 比较预测值与实测磁场分布的均方根误差； 若所述均方根误差超过第一阈值，则以最小化残余磁场能量、线圈焦耳热损耗为优化目标，在预设约束条件下滚动优化消磁电流的幅值、频率及占空比，直至磁屏蔽舱的磁化程度达到目标要求。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人杭州极弱磁场国家重大科技基础设施研究院，其通讯地址为：310051 浙江省杭州市滨江区滨安路465号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。