中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所张涛获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所申请的专利高质量氮化镓晶体、其助熔剂生长方法及应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120082955B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510526135.X，技术领域涉及：C30B9/12；该发明授权高质量氮化镓晶体、其助熔剂生长方法及应用是由张涛;刘宗亮;徐科;司志伟;彭晓辉设计研发完成，并于2025-04-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本高质量氮化镓晶体、其助熔剂生长方法及应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高质量氮化镓晶体、其助熔剂生长方法及应用。所述生长方法包括：采用第一助熔剂体系进行一次生长，获得中间晶体，中间晶体的生长面上形成多个氮化镓纳米线，组成纳米线模板层，第一助熔剂体系中含有金属镍；采用第二助熔剂体系，以中间晶体作为基础进行二次生长，形成自纳米线模板层向外合并生长的合并生长层，最终获得高质量氮化镓晶体。本发明采用两步助熔剂法来实现晶体生长，在第一次生长时利用金属镍的催化作用形成氮化镓纳米线，该氮化镓纳米线组成的纳米线模板层具有致密且均一的特点，基于该纳米线模板层进行二次生长获得的氮化镓晶体生长均匀，更加有效地降低了再生长的氮化镓位错密度，同时降低了应力。
本发明授权高质量氮化镓晶体、其助熔剂生长方法及应用在权利要求书中公布了：1.一种高质量氮化镓晶体的助熔剂生长方法，其特征在于，包括： 采用第一助熔剂体系，以原始衬底作为基础进行一次生长，获得中间晶体，所述中间晶体的生长面上形成多个表面密实且均匀排布氮化镓纳米线，组成纳米线模板层，其中，所述原始衬底的表面材质为氮化镓，所述第一助熔剂体系中含有金属镍，所述第一助熔剂体系为Ga-Na体系，所述第一助熔剂体系中的金属镍的质量分数为0.5~2.5%，所述一次生长的温度为750~850℃，氮气压力为2~4MPa，生长为5~10h，所述氮化镓纳米线的面密度在107cm-2以上； 采用第二助熔剂体系，以所述中间晶体作为基础进行二次生长，形成自所述纳米线模板层向外合并生长的合并生长层，最终获得高质量氮化镓晶体。
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