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龙图腾网获悉浙江大学;北京智芯微电子科技有限公司申请的专利面向大功率半导体模块空间磁场辐射分布的自适应测量及磁场可视化方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120044316B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510512502.0，技术领域涉及：G01R29/08；该发明授权面向大功率半导体模块空间磁场辐射分布的自适应测量及磁场可视化方法是由杨凯毅;赵东艳;杜正威;尹文言;刘芳设计研发完成，并于2025-04-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本面向大功率半导体模块空间磁场辐射分布的自适应测量及磁场可视化方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种面向大功率半导体模块空间磁场辐射分布的自适应测量与磁场可视化方法。通过实验测量与拟合技术相结合，实现对功率模块周围空间磁场辐射的精确测量及可视化展示。具体为：采用自适应磁场强度检测技术，通过分析不同测量点上的磁场强度差值，将其与预设的阈值进行动态比较。当磁场强度差值超过阈值时，则自适应地增加测量点数量与密度，确保对磁场变化细节的全面捕捉，并进一步结合牛顿插值法或拉格朗日插值法，完成拟合曲线等参数取值与可视化绘图处理。本发明为大功率模块的电磁兼容设计与优化提供了一种高效、准确的解决方案，指导抗磁干扰设计优化，提升系统稳定性与鲁棒性。对新能源汽车、电磁发射、弹射等领域具有重要意义。

本发明授权面向大功率半导体模块空间磁场辐射分布的自适应测量及磁场可视化方法在权利要求书中公布了：1.一种面向大功率半导体模块空间磁场辐射分布的自适应测量与磁场可视化方法，其特征在于，包括如下步骤： 第一步：针对待测大功率半导体模块搭建磁场测量平台； 第二步：依据步骤一的平台，采用磁场测试传感器在距所述大功率半导体模块不同高度的平面内沿平面的两垂直方向分别进行等距测量； 第三步：改变磁场的测量频段，将磁场测试传感器重新定位到不同位置按照第二步中的方法重复测量；记录下每次测量中每个点的磁场强度值； 第四步：采用自适应磁场强度检测方法，根据第二步和第三步中等距测量点的磁场强度结果，结合设定阈值，自适应增加磁场测量点； 第五步：采用牛顿插值拟合或拉格朗日插值拟合法，得到测量点之间的磁场分布拟合曲线； 第六步：对拟合曲线进行特征参数提取，并将得到的全域磁场辐射值进行绘图，得到可视化绘图结果； 所述第四步中，根据自适应磁场强度检测方法，依据判定条件自适应增加磁场测量点，具体包括： 对同一平面内沿同一方向的两个相邻测量点xn及xn+1，设其对应磁场大小值分别为fxn、fxn+1，对fxn和fxn+1大小进行比较判断，在进行磁场分布记录时，如果其大小均低于-125dBm，且，则在二者之间不用增加额外测量点，即满足阈值条件；否则为不满足阈值条件，需在对应两测量点正中间加入补充测量点xb1，再进行磁场强度测量，得到补充测量点磁场强度fxb1，对补充测量点的磁场强度进行判断，若不满足，且，则在xn和xb1正中间以及xn+1和xb1正中间，再次增加两个补充测量点xb2、xb3，以此类推，直至满足条件。

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