天津工业大学吴世喆获国家专利权
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龙图腾网获悉天津工业大学申请的专利一种电场调控二维磁性隧道结及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120018763B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510502951.7，技术领域涉及：H10N50/10；该发明授权一种电场调控二维磁性隧道结及其制备方法和应用是由吴世喆;苟金龙;张德林;侯高猛;姜勇设计研发完成，并于2025-04-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种电场调控二维磁性隧道结及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明提供了一种电场调控二维磁性隧道结及其制备方法和应用，属于自旋电子器件技术领域。该二维磁性隧道结包括依次层叠的底电极、二维铁磁材料层Ⅰ、二维铁电材料层、二维铁磁材料层Ⅱ和保护层，二维铁电材料层采用CuInP2S6，通过外加电压调控Cu离子的迁移。该器件可应用于高密度磁随机存储器（MRAM）、高灵敏度磁传感器及低功耗自旋逻辑器件，具有产业化前景。
本发明授权一种电场调控二维磁性隧道结及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种电场调控二维磁性隧道结，其特征在于：包括从下至上依次设置的衬底、底电极、二维铁磁材料层Ⅰ、二维铁电材料层、二维铁磁材料层Ⅱ和保护层，二维铁电材料层的材料为CuInP2S6，在二维铁电材料层的左右两端施加电场； 其中，二维铁磁材料层Ⅰ的厚度为1-10nm，二维铁磁材料层Ⅱ的厚度为10-20nm； 或者二维铁磁材料层Ⅰ的厚度为10-20nm，二维铁磁材料层Ⅱ的厚度为1-10nm； 二维铁电材料层的厚度为1nm-10nm； 二维铁磁材料层Ⅰ和二维铁磁材料层Ⅱ的材料相同，均为Fe3GaTe2。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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