长鑫集电(北京)存储技术有限公司王庆隆获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫集电(北京)存储技术有限公司申请的专利气相沉积设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120026307B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510502941.3，技术领域涉及：C23C16/455；该发明授权气相沉积设备是由王庆隆设计研发完成，并于2025-04-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本气相沉积设备在说明书摘要公布了：本申请是关于一种气相沉积设备，涉及半导体制备技术领域，气相沉积设备包括第一进气口、气体分配结构、进气结构体和承载台，气体分配结构包括底壁和侧壁，底壁上设置有多个过气孔，侧壁中设置有环绕底壁的第一加热部；进气结构体设置在底壁和侧壁围合形成的空间内，进气结构体中设置有连通第一进气口和各过气孔的气体通道，进气结构体中设置有环绕气体通道的第二加热部。通过在气体分配结构的侧壁中设置第一加热部并在进气结构体中设置第二加热部，能够利用第一加热部和第二加热部实现对气相沉积设备中温度分布的控制，从而通过温度的调整控制不同区域的反应气体的自由分子碰撞频率，提升了膜层厚度的均匀性，有利于执行后续工艺并提升产品良率。
本发明授权气相沉积设备在权利要求书中公布了：1.一种气相沉积设备，其特征在于，所述气相沉积设备包括： 第一进气口； 气体分配结构，所述气体分配结构包括底壁和围绕所述底壁设置的侧壁，所述底壁上设置有多个过气孔，所述侧壁中设置有环绕所述底壁的第一加热部； 进气结构体，所述进气结构体设置在所述底壁和所述侧壁围合形成的空间内，所述进气结构体中设置有连通所述第一进气口和各所述过气孔的气体通道，所述进气结构体中设置有环绕所述气体通道的第二加热部； 承载台，用于承载晶圆，各所述过气孔均朝向所述承载台； 所述第一加热部和所述第二加热部在水平方向上对应不同的位置； 所述第二加热部包括嵌设在所述进气结构体中的多个第二子加热部，多个所述第二子加热部沿所述进气结构体的径向排布； 所述第一加热部和多个所述第二子加热部用于控制对应区域内反应气体的自由分子碰撞频率。
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