浙江工业大学文东辉获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江工业大学申请的专利一种去厚均匀的硅片全自动抛光方法及设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120002545B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510494386.4，技术领域涉及：B24B37/10；该发明授权一种去厚均匀的硅片全自动抛光方法及设备是由文东辉;吴晓峰设计研发完成，并于2025-04-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种去厚均匀的硅片全自动抛光方法及设备在说明书摘要公布了：本发明提供了一种去厚均匀的硅片全自动抛光方法及设备，该抛光方法包括贴片，通过贴片设备将硅片沿陶瓷盘圆周均匀铺贴多片，随后转移到本发明抛光设备上；粗抛，抛光垫对硅片表面进行打磨抛光，并同时对陶瓷盘施加400‑500千克的压力，抛光6‑8分钟；中抛，通过旋转机器手转移陶瓷盘和硅片，对硅片进一步抛光，对陶瓷盘施加200‑300千克的压力，抛光6‑8分钟；通过粗抛、中抛、精抛多工序连续抛光作业，实现高精度去厚，同时，在中抛和精抛过程中，根据硅片不同部位去厚量减小或增大对应部位的压力，保证硅片表面去厚量一致，从而保证硅片表面的厚度一致性。
本发明授权一种去厚均匀的硅片全自动抛光方法及设备在权利要求书中公布了：1.一种去厚均匀的硅片全自动抛光方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤一、贴片，通过贴片设备将硅片（7）沿陶瓷盘（6）圆周均匀铺贴多片，随后转移到抛光设备上； 步骤二、粗抛，抛光垫（4）对硅片（7）表面进行打磨抛光，并同时对陶瓷盘（6）施加400-500千克的压力，抛光6-8分钟； 步骤三、中抛，通过旋转机器手（5）转移陶瓷盘（6）和硅片（7），对硅片（7）进一步抛光，对陶瓷盘（6）施加200-300千克的压力，抛光6-8分钟； 步骤四、精抛，通过旋转机器手（5）转移陶瓷盘（6）和硅片（7），对硅片（7）做最后的抛光，并同时对陶瓷盘（6）施加100-200千克的压力，抛光6-8分钟； 粗抛、中抛、精抛步骤中，通过不同的副加压气缸（122）带动对应的移动环（121）移动，改变接触硅片表面的压块（116）数量，使最外侧接触硅片的压块（116）作用在硅片圆心处，最内侧接触硅片的压块（116）作用在硅片的最大外径处。
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