合肥晶合集成电路股份有限公司刘秀梅获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种光学临近校正方法及计算机可读存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119987120B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510480119.1，技术领域涉及：G03F1/36；该发明授权一种光学临近校正方法及计算机可读存储介质是由刘秀梅;罗招龙设计研发完成，并于2025-04-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种光学临近校正方法及计算机可读存储介质在说明书摘要公布了：本发明提供了一种光学临近校正方法及计算机可读存储介质，应用于半导体技术领域。在本发明中，在对原始版图中的所有主图形进行第一次光学临近校正，得到第一修正版图后，可从该第一修正版图中筛选出存在拼接缺陷的至少一主图形，并将该筛选出的主图形重新进行光学临近校正，以得到第二修正图形，即仅对原始版图中的部分主图形进行重新光学临近校正，可减少光学临近校正迭代次数，提高光学临近校正的效率；具体的，可利用主图形在相关版图分块中的修正方式是否一样的方式，筛选主图形，而后再利用重新执行光学临近校正的方式，将筛选出的主图形在不同版图分块中的行为及变化调整统一，以实现减小边缘放置误差（EPE）的目的。
本发明授权一种光学临近校正方法及计算机可读存储介质在权利要求书中公布了：1.一种光学临近校正方法，其特征在于，包括： 提供一初始版图，所述初始版图包括多个主图形； 对所述初始版图进行切分，以获得若干版图分块，其中至少一所述主图形被切分成多个子图形，且不同的所述子图形位于不同的所述版图分块内； 对所述若干版图分块内的图形分别进行第一次光学临近校正，并将修正后的多个版图分块进行拼接，以获得所述初始版图的第一修正版图； 从所述第一修正版图中确定出存在拼接缺陷的至少一第一修正图形，并将确定出的一所述第一修正图形对应的主图形以及位于该主图形周围的其他主图形，形成一图形集合； 将一所述图形集合作为一新版图分块，并对所述图形集合中的所述第一修正图形对应的主图形进行第二次光学临近校正，以获得该主图形的第二修正图形； 将所述第一修正版图中确定出的所述主图形对应的第一修正图形移除，并将该主图形对应的所述第二修正图形回填至所述第一修正版图上移除的位置，以获得第二修正版图。
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