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常州臻晶半导体有限公司钱昊获国家专利权

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龙图腾网获悉常州臻晶半导体有限公司申请的专利用于液相法生长单炉多组碳化硅晶体的装置及其使用方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119980441B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510466947.X,技术领域涉及:C30B15/10;该发明授权用于液相法生长单炉多组碳化硅晶体的装置及其使用方法是由钱昊;尹祖荣;陆敏设计研发完成,并于2025-04-15向国家知识产权局提交的专利申请。

用于液相法生长单炉多组碳化硅晶体的装置及其使用方法在说明书摘要公布了:本发明属于碳化硅单晶生长领域,具体涉及熔融液提拉法的单晶生长,尤其涉及一种用于液相法生长单炉多组碳化硅晶体的装置及其使用方法,其中,用于液相法生长单炉多组碳化硅晶体的装置包括:石墨坩埚、加热组件、驱动机构以及提拉旋转机构;其中,所述石墨坩埚包括:坩埚本体以及分隔环;所述分隔环设置在所述坩埚本体内,且用于将所述坩埚本体分隔为同心的内槽以及外槽。通过重新设置石墨坩埚的结构,将坩埚本体分为内槽和外槽,助溶剂放置在外槽中,籽晶放置在内槽中,从而解决了相关技术中,将籽晶放置在坩埚内,助溶剂会熔穿籽晶的问题,进而实现了单炉多组碳化硅晶体的同时生长,降低了碳化硅晶体的生长成本。

本发明授权用于液相法生长单炉多组碳化硅晶体的装置及其使用方法在权利要求书中公布了:1.一种用于液相法生长单炉多组碳化硅晶体的装置,其特征在于,包括: 石墨坩埚(100),其用于盛放原料; 加热组件(200),其设置在所述石墨坩埚(100)的四周,且用于给所述坩埚内的原料进行加热; 驱动机构(300),其设置在所述石墨坩埚(100)的下方,且用于带动所述石墨坩埚(100)旋转; 提拉旋转机构(400),其设置在所述石墨坩埚(100)的上方,其底部用于放置籽晶(500)以用于晶体生长; 其中,所述石墨坩埚(100)包括: 坩埚本体(110)以及分隔环(120); 所述分隔环(120)设置在所述坩埚本体(110)内,且用于将所述坩埚本体(110)分隔为同心的内槽(130)以及外槽(140); 所述内槽(130)用于放置原料中的Si块;所述外槽(140)用于放置助溶剂; 所述内槽(130)的底部设置有安装槽(131); 在晶体生长时,将籽晶(500)分别放置在所述安装槽(131)以及所述提拉旋转机构(400)的底部,同时进行多个碳化硅晶体的生长。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人常州臻晶半导体有限公司,其通讯地址为:213000 江苏省常州市武进国家高新技术产业开发区武宜南路377号19号厂房一层东;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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