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龙图腾网获悉苏州科阳半导体有限公司申请的专利TGV基板集成封装方法和封装结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119993841B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510466177.9，技术领域涉及：H01L21/48；该发明授权TGV基板集成封装方法和封装结构是由倪飞龙;杨佩佩;朱其壮;金科;吕军设计研发完成，并于2025-04-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本TGV基板集成封装方法和封装结构在说明书摘要公布了：本申请提供的一种TGV基板集成封装方法和封装结构，涉及半导体封装技术领域。该TGV基板集成封装方法包括：第一基板为玻璃基板。第一基板包括相对设置的第一表面和第二表面；第一表面贴装有芯片，并形成有包覆芯片的塑封体。对第二表面进行研磨减薄。在第二表面形成与芯片上电极的位置相对应的第一通孔。在第二表面形成第一凹槽；第一凹槽连通对应不同芯片上的第一通孔。在第二表面形成第二通孔；第二通孔与第一通孔的位置相对应且连通；第二通孔至少在轴向上对第一通孔延长，以露出电极。在第一通孔、第二通孔和第一凹槽中形成第一金属层；第一金属层和电极电连接。该方法有利于提升封装效率和质量，降低玻璃基板隐裂的风险。

本发明授权TGV基板集成封装方法和封装结构在权利要求书中公布了：1.一种TGV基板集成封装方法，其特征在于，包括： 提供第一基板；第一基板为玻璃基板；所述第一基板包括相对设置的第一表面和第二表面；所述第一表面贴装有芯片，并形成有包覆所述芯片的塑封体；其中，所述芯片的电极采用微蚀刻形成粗化表面，在粗化表面上形成金属结合层； 在所述塑封体远离第一基板的一侧开设缓冲槽，缓冲槽内填充缓冲块； 对所述第一基板的第二表面进行研磨减薄，以实现超薄玻璃基板的封装； 先在所述第二表面形成第一通孔；所述第一通孔的位置与所述芯片上电极的位置相对应；再在所述第二表面形成第一凹槽；所述第一凹槽连通对应不同芯片上的所述第一通孔； 在所述第二表面形成第二通孔；所述第二通孔与所述第一通孔的位置相对应且连通；所述第二通孔至少在轴向上对所述第一通孔延长，以露出所述电极； 在所述第二表面整体形成第一金属层，且所述第一金属层填充至所述第一通孔、所述第二通孔和所述第一凹槽中；研磨所述第一金属层，以露出所述第一基板的所述第二表面；其中，所述第一通孔、所述第二通孔和所述第一凹槽中的所述第一金属层表面分别与所述第二表面齐平； 所述提供第一基板的步骤包括： 在所述第一基板和所述芯片之间形成粘接层；其中，所述芯片设有电极的一侧还设有功能区，所述粘接层覆盖在所述芯片具有所述电极的一侧表面，并在所述功能区对应的位置留有开口； 所述粘接层用于对电极起保护作用，避免在形成第一通孔时对电极造成损伤。

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