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龙图腾网获悉福建理工大学申请的专利一种高熵陶瓷相变强化银基电接触材料组元筛选方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119993350B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510458797.8，技术领域涉及：G16C60/00；该发明授权一种高熵陶瓷相变强化银基电接触材料组元筛选方法是由林智杰设计研发完成，并于2025-04-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高熵陶瓷相变强化银基电接触材料组元筛选方法在说明书摘要公布了：本发明涉及计算材料科学技术领域，尤其为一种高熵陶瓷相变强化银基电接触材料组元筛选方法，先基于第一性原理计算与蒙特卡洛分子动力学模拟，结合实验数据修正，筛选出相变温度接近银熔点且单相化焓值高的MgCoNiCuZnO组元比例；接着通过分子动力学动态模拟液态银与不同组元比例MgCoNiCuZnO的润湿行为，结合相界能计算和润湿角实验验证，选出与液态银润湿性最佳的组元比例；最后基于放电等离子烧结制备样品，用座滴法实测润湿角，反馈修正模拟参数，形成闭环优化。本发明适用于含稀土元素掺杂的高熵氧化物体系与液态金属的润湿性协同优化筛选，能高效精准筛选出合适组元，提升银基电接触材料性能。

本发明授权一种高熵陶瓷相变强化银基电接触材料组元筛选方法在权利要求书中公布了：1.一种高熵陶瓷相变强化银基电接触材料组元筛选方法，其特征在于：包括以下步骤： S1、相热物理性质初步筛选：基于第一性原理计算与蒙特卡洛分子动力学模拟，结合实验数据修正，筛选出相变温度接近银熔点且单相化焓值高的MgCoNiCuZnO组元比例，步骤S1的具体技术路径包括： 晶体模型构建与修正： 采用蒙特卡洛方法随机生成不同组元比例的高熵氧化物晶体模型； 结合实测XRD全谱数据，通过最小二乘法拟合修正晶格常数、原子占位及缺陷浓度，确保模型与实验晶格误差小于0.5%； 第一性原理计算： 基于密度泛函理论DFT，采用平面波赝势和广义梯度近似GGA，计算不同组元比例的自由能、电子态密度及声子谱； 多目标优化算法：通过改进型遗传算法优化组元比例，目标函数为： ，其中，为组元比例向量，以原子百分比表示，包括；为组元比例为时材料的自由能变化量；为组元比例为时材料的相变温度；为银的熔点，取值为960℃；为组元比例为时预测的液态银与材料的润湿角；为期望达到的目标润湿角；、、为动态权重系数，通过灵敏度分析确定； 筛选标准：输出相变温度在900℃-1000℃范围内且单相化焓值高于200kJmol的候选比例； S2、界面特征进一步筛选：通过分子动力学动态模拟液态银与不同组元比例MgCoNiCuZnO的润湿行为，结合相界能计算和润湿角实验验证，筛选出与液态银润湿性最佳的组元比例； S3、实验与模拟协同优化：基于放电等离子烧结制备样品，通过座滴法实测润湿角，反馈修正模拟参数，形成闭环优化流程。

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