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龙图腾网获悉南昌航空大学申请的专利基于垂直双层热丝阵列热场设计的poly-Si薄膜制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119967943B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510455470.5，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权基于垂直双层热丝阵列热场设计的poly-Si薄膜制备方法是由王应民;蔡莉;刘鹏亮设计研发完成，并于2025-04-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于垂直双层热丝阵列热场设计的poly-Si薄膜制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了基于垂直双层热丝阵列热场设计的poly‑Si薄膜制备方法，通过调节双层热丝阵列层间距和双层热丝电流来改变热丝表面温度和裂解高温区范围，扩大了硅烷裂解时间和裂解空间，促进硅烷二次裂解，能有效地控制达到衬底表面的硅烷裂解中间产物组分和浓度分布，提升SiHSiH2活性基团比例；在0.5Pa‑5.0Pa真空下，衬底温度为200‑560℃和沉积时间为10‑60min下沉积poly‑Si薄膜，沉积结束后，将衬底温度升温至200‑650℃，对生长的poly‑Si薄膜进行真空退火，获得高晶化率poly‑Si薄膜。本发明使用垂直双层热丝阵列热场设计、高温热丝硅烷裂解技术和真空退火技术生长poly‑Si薄膜，其结晶质量能得到明显提高。

本发明授权基于垂直双层热丝阵列热场设计的poly-Si薄膜制备方法在权利要求书中公布了：1.基于垂直双层热丝阵列热场设计的poly-Si薄膜制备方法，其特征在于，包括以下步骤： （1）衬底预处理：对单晶硅衬底进行预处理； （2）薄膜沉积：使用垂直双层热丝阵列热场设计和高温热丝硅烷裂解技术，在单晶硅衬底上沉积生长poly-Si薄膜； （3）退火：使用真空退火技术，对生长的poly-Si薄膜进行退火； 所述使用垂直双层热丝阵列热场设计和高温热丝硅烷裂解技术，在单晶硅衬底上沉积生长poly-Si薄膜，包括： 将单晶硅衬底升温至200-560℃，通入SiH4和H2混合气体，控制SiH4H2气体流量比为1:3-1:9，调节闸板阀，使生长室真空度为0.5Pa-5.0Pa，分别开启热丝电源，调节第一层热丝电流，使第一层热丝的表面温度为1700-1950℃，然后调节第二层热丝电流，使第二层热丝的表面温度为1750-2250℃，且第二层热丝的表面温度始终大于第一层热丝的表面温度，硅烷热裂解活性基团沉积在单晶硅衬底表面，在单晶硅衬底温度为200-560℃和沉积时间为10-60min下生长出厚度为20-100nm的poly-Si薄膜； 第一层热丝和第二层热丝阵列排布有三种方式，分别为垂直双层头对头平行对齐热丝阵列、垂直双层头对脚平行对齐热丝阵列和垂直双层错位热丝阵列，以实现采用垂直双层热丝阵列热场对硅烷进行热裂解； 双层热丝各有一套独立电源，通过独立控制各层的热丝电流来调节热丝表面温度和裂解高温区范围，调节硅烷裂解中间产物组分比例和浓度分布，提升SiHSiH2活性基团比例。

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