全芯智造技术有限公司请求不公布姓名获国家专利权
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龙图腾网获悉全芯智造技术有限公司申请的专利用于离子注入仿真的方法、电子设备及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119989740B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510457522.2，技术领域涉及：G06F30/20；该发明授权用于离子注入仿真的方法、电子设备及存储介质是由请求不公布姓名设计研发完成，并于2025-04-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于离子注入仿真的方法、电子设备及存储介质在说明书摘要公布了：本公开的实施例涉及用于离子注入仿真的方法、电子设备及存储介质。该方法包括：在仿真半导体器件的暴露表面中确定各个离子的初始位置；确定各个离子中指定的基准离子在注入过程中与半导体器件的材料原子的碰撞产生的第一碰撞数据；基于各个离子中其他离子的周围材料信息与基准离子的周围材料信息的比较确定各个其他离子的第二碰撞数据；以及基于第一碰撞数据和第二碰撞数据确定各个离子在仿真半导体材料中的分布状况。本公开的技术方案能够有效减少模拟离子注入过程中的计算量，显著降低计算时间并提升模拟效率。
本发明授权用于离子注入仿真的方法、电子设备及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种用于离子注入仿真的方法，包括： 在仿真半导体器件的暴露表面中确定各个离子的初始位置； 确定各个所述离子中指定的基准离子在注入过程中与所述半导体器件的材料原子的碰撞产生的第一碰撞数据； 基于各个所述离子中其他离子的周围材料信息与所述基准离子的周围材料信息的比较确定各个所述其他离子的第二碰撞数据，其中，对所述第一碰撞数据进行复制以作为具有相同的比较结果的其他离子的第二碰撞数据；以及 基于所述第一碰撞数据和所述第二碰撞数据确定各个离子在所述仿真半导体中的分布状况。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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