合肥晶合集成电路股份有限公司张曼获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119922987B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510405338.3，技术领域涉及：H10D89/10；该发明授权半导体器件及其制备方法是由张曼;鲍伟;刘哲儒设计研发完成，并于2025-04-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体器件及其制备方法，包括：衬底、第一栅极和第二栅极，衬底中包括有源区，有源区中形成有若干凹槽，且若干凹槽沿第一方向排列；第一栅极和第二栅极均沿第一方向延伸，第一栅极的第一部分位于有源区上，第一栅极的第二部分覆盖凹槽的侧壁和底部，第一部分和第二部分连接，第二栅极位于有源区上。本发明实现缩小半导体器件的面积，提高半导体器件在集成电路设计中的集成度。
本发明授权半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，所述半导体器件为OTP器件，其特征在于，包括： 衬底，所述衬底中包括有源区，所述有源区中形成有若干凹槽，且若干所述凹槽沿第一方向排列； 第一栅极和第二栅极，均沿所述第一方向延伸，沿第二方向所述凹槽的尺寸小于或等于沿所述第二方向所述第一栅极的尺寸，所述第一方向和所述第二方向垂直相交，所述第一栅极的第一部分位于所述有源区上，所述第一栅极的第二部分覆盖所述凹槽的侧壁和底部，所述第一部分和所述第二部分连接，所述第二栅极位于所述有源区上。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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