杭州谱析光晶半导体科技有限公司许一力获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州谱析光晶半导体科技有限公司申请的专利一种高密度的SiC MOSFET结构及其制备工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119907274B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510381125.1，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种高密度的SiC MOSFET结构及其制备工艺是由许一力;李鑫;刘倩倩设计研发完成，并于2025-03-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高密度的SiC MOSFET结构及其制备工艺在说明书摘要公布了：本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种高密度的SiCMOSFET结构及其制备工艺，包括由若干个相互并列的MOS元胞构成，单个所述MOS元胞包括有漏极、半导体外延层、栅极以及源极，所述半导体外延层包括有N衬底层、N扩散层、P阱层、N阱层以及P‑层，所述栅极的截面轮廓呈“T”字形状，并且P阱层和N阱层的截面宽度不超过栅极的截面宽度。本发明通过引入多晶硅与源极直接接触，这样可放大漏极与源极的电场效应，而漏极的电荷主要从金属沉积层流入N扩散层内，这样在栅极电场和原极电场的同时作用下，电荷主要集中向电荷沟道和电荷沟道流动，这样能够减少电荷向相邻的MOS元胞扩散。
本发明授权一种高密度的SiC MOSFET结构及其制备工艺在权利要求书中公布了：1.一种高密度的SiCMOSFET结构，包括由若干个相互并列的MOS元胞构成，单个所述MOS元胞从下到上依次包括有漏极1、半导体外延层、栅极6和源极7；所述半导体外延层从下到上依次包括有N衬底层2、N扩散层3、P阱层4、N阱层5，其特征在于：所述栅极6的截面轮廓呈“T”字形状，其中栅极6包括横向部分和纵向部分，所述P阱层4和N阱层5位于该纵向部分的两侧，所述P阱层4的截面轮廓呈“Z”字形状，所述N阱层5的截面轮廓呈“L”字形状，其中P阱层4与N阱层5相互契合； 所述半导体外延层还包括P-层9，该P-层9位于单个MOS元胞的左右两侧并与源极7接触，所述P-层9的内部蚀刻并沉积有多晶硅8，所述多晶硅8位于源极7与P-层9之间，并且多晶硅8与源极7接触； 单个所述MOS元胞的N衬底层2内设有两个金属沉积层10，所述金属沉积层10与漏极1欧姆接触，并且金属沉积层10位于P阱层4与P-层9连接处的下方。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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