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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利混合键合结构的制备方法及半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119852244B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510333003.5，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权混合键合结构的制备方法及半导体器件是由陶磊设计研发完成，并于2025-03-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本混合键合结构的制备方法及半导体器件在说明书摘要公布了：本发明提供了一种混合键合结构的制备方法及半导体器件，方法包括：提供至少两个待键合结构，所述待键合结构的顶部包括电介质层，以及沿垂直所述电介质层顶面的第一方向贯穿所述电介质层的金属引出结构；执行第一化学机械研磨工艺，以使所述金属引出结构的顶面凸出于所述电介质层的顶面；执行第二化学机械研磨工艺，以使所述金属引出结构的两端与所述电介质层的顶面齐平，并使得所述金属引出结构的顶面形成碟形凹陷；对所述电介质层的顶面以及所述金属引出结构的顶面执行等离子体处理，得到中间键合结构；将至少两个所述中间键合结构进行混合键合，以形成混合键合结构。该方法避免了键合过程中形成未键合区域和气泡，提高了混合键合的良率。

本发明授权混合键合结构的制备方法及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种混合键合结构的制备方法，其特征在于，包括下列步骤： 提供至少两个待键合结构，所述待键合结构的顶部包括电介质层，以及沿垂直所述电介质层顶面的第一方向贯穿所述电介质层的金属引出结构，其中，形成所述金属引出结构包括：采用光刻工艺形成沿垂直所述电介质层顶面的第一方向贯穿所述电介质层的通孔；形成金属材料层以填充所述通孔；进行块体研磨以去除位于所述电介质层顶面的金属材料层； 执行第一化学机械研磨工艺，以使所述金属引出结构的顶面凸出于所述电介质层的顶面； 执行第二化学机械研磨工艺，以使所述金属引出结构的两端与所述电介质层的顶面齐平，并使得所述金属引出结构的顶面形成碟形凹陷； 对所述电介质层的顶面以及所述金属引出结构的顶面执行等离子体处理，得到中间键合结构，包括：对所述电介质层的顶面执行等离子体处理，以在所述电介质层的顶面形成用于键合的打开化学键；以及，对所述金属引出结构的顶面执行等离子体处理，以调节所述碟形凹陷的深度； 将至少两个所述中间键合结构进行混合键合，以形成混合键合结构。

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