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龙图腾网获悉赛卓电子科技(上海)股份有限公司申请的专利一种DDA仪表放大器的恒跨导电路及DDA仪表放大器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119853624B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510330553.1，技术领域涉及：H03F3/45；该发明授权一种DDA仪表放大器的恒跨导电路及DDA仪表放大器是由王雪艳;郁炜嘉设计研发完成，并于2025-03-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种DDA仪表放大器的恒跨导电路及DDA仪表放大器在说明书摘要公布了：本发明公开一种DDA仪表放大器的恒跨导电路及DDA仪表放大器。恒跨导电路包括BJT输入对管，用于将一对差分输入电压转换为一对差分输出电流，并产生一对发射极电压和一对集电极电压；源极退化电路和跨导复制电路，当一对差分输入电压变化时，使跨导复制电路根据一对集电极电压产生跨导复制电流，以将BJT输入对管随一对差分输入电压的变化而产生的电流变化引入源极退化电路，进而确保一对差分输出电流与一对差分输入电压之间的比例恒定。本发明采用BJT器件，相较于传统CMOS跨导电路具有更低的噪声和偏移量。利用输入对管的源极退化和跨导复制技术，能实现在更宽输入电压范围内维持恒定跨导，确保在宽输入范围内保持高线性度。

本发明授权一种DDA仪表放大器的恒跨导电路及DDA仪表放大器在权利要求书中公布了：1.一种DDA仪表放大器的恒跨导电路，其特征在于，包括： 差分输入端组，用于接入一对差分输入电压； BJT输入对管，包括基极组、集电极组和发射极组； 源极退化电路和跨导复制电路，其中，所述源极退化电路连接所述BJT输入对管的所述发射极组； 还包括电源端；所述差分输入端组包括第一差分输入端和第二差分输入端；所述BJT输入对管包括第一三极管和第二三极管；所述第一三极管的基极连接所述第一差分输入端，集电极连接所述电源端，发射极连接所述源极退化电路；所述第二三极管的基极连接所述第二差分输入端，集电极连接所述电源端，发射极连接所述源极退化电路； 所述源极退化电路包括： 第一源极退化电阻，一端连接所述第一三极管的发射极，另一端接地； 第二源极退化电阻，一端连接所述第二三极管的发射极，另一端接地； 还包括第一偏置电流源和第二偏置电流源，所述第一偏置电流源连接于所述电源端和所述第一三极管的集电极之间，所述第二偏置电流源连接于所述电源端和所述第二三极管的集电极之间； 还包括限制电流源，一端连接于所述第一源极退化电阻和所述第二源极退化电阻之间，另一端接地，用于提供恒定限制电流； 所述跨导复制电路包括： 第一MOS管，所述第一MOS管的栅极连接所述第一三极管的集电极，源极连接所述电源端，漏极连接所述第一源极退化电阻的一端； 第二MOS管，所述第二MOS管的栅极连接所述第二三极管的集电极，源极连接所述电源端，漏极连接所述第二源极退化电阻的一端； 还包括第一差分电流输出端和第二差分电流输出端；所述跨导复制电路还包括： 第三MOS管，所述第三MOS管的栅极连接所述第一MOS管的栅极，源极连接所述电源端，漏极连接所述第一差分电流输出端； 第四MOS管，所述第四MOS管的栅极连接所述第二MOS管的栅极，源极连接所述电源端，漏极连接所述第二差分电流输出端； 还包括电源隔离控制电路，所述电源隔离控制电路包括： 共模检测电路，连接所述BJT输入对管的集电极组，用于根据所述BJT输入对管的一对集电极电压，产生共模电压信号； 比较器，同相输入端接入固定参考电压信号，反相输入端连接所述共模检测电路，用于比较所述共模电压信号与所述固定参考电压信号，产生比较结果； 电流源，连接所述比较器的输出端、所述电源端及第一到第四MOS管的源极，用于根据所述比较结果调节第一到第四MOS管的源极的电压。

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