浙江大学徐杨获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江大学申请的专利基于垂直硅纳米线的全环栅光伏场效应晶体管及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119789590B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510274065.3，技术领域涉及：H10F77/14；该发明授权基于垂直硅纳米线的全环栅光伏场效应晶体管及制备方法是由徐杨;张倩倩;张致翔;李宗文;丁小蕾;谢云斐;王淏宇;胡欢;俞滨设计研发完成，并于2025-03-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于垂直硅纳米线的全环栅光伏场效应晶体管及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于垂直硅纳米线的全环栅光伏场效应晶体管及其制备方法，所述光伏场效应晶体管以垂直的硅纳米线作为沟道，将横向宽度转换成纵向深度，更易实现大规模阵列中单个器件的物理隔离，同时大幅度提升光伏场效应晶体管的集成度。所述硅纳米线穿过二维材料薄膜，二维材料薄膜以原子层厚度全环绕包裹硅纳米线，形成环栅结构。该环栅结构依赖于二维材料优异的机械柔性和原子力显微镜球探针纳米级的无损修饰。借助原子力显微镜球探针界面处理技术，本发明提出了一种制备具有亚纳米尺寸栅极的晶体管的新方法，这种光伏晶体管结构不仅有效地抑制了短沟道效应，还显著提高了二维材料与硅基CMOS器件的高效集成能力。
本发明授权基于垂直硅纳米线的全环栅光伏场效应晶体管及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于垂直硅纳米线的全环栅光伏场效应晶体管，其特征在于，包括： 衬底，以垂直硅纳米线作为沟道，每一根纳米线的两端分别与源漏电极相连； 二维膜层栅极，以具备半导体性质的二维材料膜层构成，垂直硅纳米线穿过二维材料膜层； 所述二维材料膜层与垂直硅纳米线呈正交关系，且通过原子力显微镜球探针界面处理技术，使垂直硅纳米线穿过二维材料膜层，由此形成二维材料膜层以原子层厚度环绕硅纳米线的全环绕栅极结构，所述二维材料膜层位于所述垂直硅纳米线的中部。
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