全芯智造技术有限公司请求不公布姓名获国家专利权
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龙图腾网获悉全芯智造技术有限公司申请的专利用于半导体器件的仿真方法、电子设备及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119782826B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510267351.7，技术领域涉及：G06F18/214；该发明授权用于半导体器件的仿真方法、电子设备及存储介质是由请求不公布姓名设计研发完成，并于2025-03-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于半导体器件的仿真方法、电子设备及存储介质在说明书摘要公布了：本公开的实施例涉及用于半导体器件的仿真方法、电子设备及存储介质。该仿真方法由仿真模型执行，仿真模型中包括：CMP物理模型，所述CMP物理模型被配置为基于输入数据确定研磨后晶圆的表面高度的仿真值，其中输入数据包括图形特征数据以及物理信息；以及神经网络模型，所述神经网络模型是以所述仿真值作为训练样本进行训练而生成的，被配置为在所述CMP物理模型的仿真过程中对多组输入数据进行并行预测以生成对应于所述多组输入数据的研磨后晶圆的表面高度的多个预测值，分别作为所述表面高度的相应仿真值。本公开的技术方案能够显著加速CMP物理模型的建立和仿真过程，减少时间耗费，并且能够提高仿真精度。
本发明授权用于半导体器件的仿真方法、电子设备及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种训练样本的生成方法，包括： 基于用于表示晶圆上各个图形特征的数据点生成第一数量的特征向量，所述特征向量是所述数据点中表示不同类型的图形特征的数据的组合； 基于与所述晶圆的化学机械抛光相关的物理信息生成第二数量的物理向量，所述物理向量是表示不同类型的物理信息的数据的组合；以及 由化学机械抛光物理模型基于所述特征向量和所述物理向量进行所述第二数量的仿真，以在每次仿真中生成晶圆的表面高度的对应于所述第一数量的特征向量的仿真值作为训练样本。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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