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龙图腾网获悉江苏中科智芯集成科技有限公司申请的专利一种改善光刻胶涂胶均匀度的方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119668034B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510191174.9，技术领域涉及：G03F7/16；该发明授权一种改善光刻胶涂胶均匀度的方法及系统是由童媛;位亮亮;徐晨龙;史玉芬设计研发完成，并于2025-02-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种改善光刻胶涂胶均匀度的方法及系统在说明书摘要公布了：本发明提供了一种改善光刻胶涂胶均匀度的方法及系统，该方法包括确定一晶圆并进行预处理，得到涂胶基底；配置光刻胶溶液；令涂胶基底转动并使涂胶喷嘴沿涂胶基底直径方向水平移动，以在涂胶基底上喷洒光刻胶溶液；将喷洒光刻胶溶液后的涂胶基底烘干；涂胶喷嘴的喷射量为10~50uls，光刻胶溶液的固体含量为15%。在其它条件相同的情况下，将涂胶喷嘴的喷射量控制为10~50uls且光刻胶溶液的固体含量配置为15%时，其喷射量适中进而使得光刻胶液滴与涂胶基底碰撞的速度也适中，此时光刻胶液滴与涂胶基底碰撞后液滴在平衡阶段，避免发生整个液滴弹起或部分液滴飞溅的情况，从而提高光刻胶涂胶均匀度，避免光刻胶浪费。

本发明授权一种改善光刻胶涂胶均匀度的方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种改善光刻胶涂胶均匀度的方法，其特征在于，包括以下步骤： 确定一晶圆并进行预处理，得到涂胶基底； 配置光刻胶溶液； 令涂胶基底转动并使涂胶喷嘴沿所述涂胶基底直径方向水平移动，以在所述涂胶基底上喷洒所述光刻胶溶液； 将喷洒所述光刻胶溶液后的所述涂胶基底烘干；其中： 所述涂胶喷嘴的喷射量为10~50uls，所述光刻胶溶液的固体含量为15%； 所述令涂胶基底转动并使涂胶喷嘴沿所述涂胶基底直径方向水平移动，以在所述涂胶基底上喷洒所述光刻胶溶液，具体为： 确定所述涂胶基底的直径； 基于所述直径确定所述涂胶喷嘴喷洒所述光刻胶溶液的半正态分布距离，以满足D=2NT，其中N为正整数，D为涂胶基底的直径，T为半正态分布距离； 以所述半正态分布距离T为所述涂胶喷嘴的步进距离，令所述涂胶基底配合转动，使得所述涂胶喷嘴沿所述涂胶基底直径方向水平移动时，所述涂胶基底上所有区域被喷洒所述光刻胶溶液的单位时长相同； 所述单位时长即将所述涂胶基底处于所述步进距离处的区域划分为若干个单元，每个单元接受喷洒光刻胶溶液的时长； 所述配置光刻胶溶液具体为： 将AZ系列光刻胶、丁酮与丙二醇甲醚乙酸酯按照1：1.5：0.5体积比进行混合，得到固体含量为15%的光刻胶溶液； 涂胶基底配合转动的角速度满足： 式中，表示附着力，其与光刻胶自身动力粘度有关；表示光刻胶液滴平均质量，其与涂胶喷嘴的喷射量有关；表示光刻胶液滴中心到涂胶基底中心的距离，即光刻胶液滴中心到转轴的水平距离； 所述确定一晶圆并进行预处理，得到涂胶基底，具体为： 确定一晶圆； 将所述晶圆通过硫酸双氧水混合物、硫酸臭氧混合物或盐酸双氧水混合物进行处理，得到涂胶基底；其中： 在所述硫酸双氧水混合物中，硫酸和双氧水的体积比为1：1~50：1，将所述硫酸双氧水混合物用于所述晶圆处理时，温度为100℃~180℃； 在所述硫酸臭氧混合物中，臭氧的含量为1~50ppm，将所述硫酸臭氧混合物用于所述晶圆处理时，温度为100℃~180℃； 在所述盐酸双氧水混合物中，盐酸、双氧水和去离子水的体积比为1：1：1~1：10：100，将所述盐酸双氧水混合物用于所述晶圆处理时，温度为20℃~80℃。

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