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龙图腾网获悉深圳飞骧科技股份有限公司申请的专利谐振器的导纳测试方法及谐振器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119647385B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510174211.5，技术领域涉及：G06F30/367；该发明授权谐振器的导纳测试方法及谐振器是由请求不公布姓名设计研发完成，并于2025-02-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本谐振器的导纳测试方法及谐振器在说明书摘要公布了：本发明提供了一种谐振器的导纳测试方法及谐振器，其中，所述测试方法包括以下步骤：获取待测试谐振器的散射参数矩阵文件；根据所述散射参数矩阵文件构建真实谐振器的原理电路；所述真实谐振器附加有寄生效应；根据所述原理电路推导得到真实谐振器的散射参数的方程式；通过所述方程式计算得到真实谐振器的导纳参数，以用于设计所述真实谐振器。本发明中谐振器的导纳测试方法不仅成本低且能获取更精准的导纳参数。

本发明授权谐振器的导纳测试方法及谐振器在权利要求书中公布了：1.一种谐振器的导纳测试方法，其特征在于，所述谐振器的导纳测试方法包括以下步骤： 获取待测试谐振器的散射参数矩阵文件；所述待测试谐振器的版图包括产生寄生效应的汇流条、接地端口、输入端口、输出端口以及仿真端口； 根据所述散射参数矩阵文件构建真实谐振器的原理电路；所述真实谐振器附加有寄生效应，所述真实谐振器的寄生效应等效于待测试谐振器的散射参数； 根据所述原理电路及待测试谐振器的散射参数推导得到真实谐振器的散射参数的方程式； 通过所述方程式计算得到真实谐振器的导纳参数，以用于设计所述真实谐振器； 所述方程式如下： ； ； ； ； 其中，A11、A12、A21、A22为待测试谐振器的散射参数，sij为电磁仿真后的散射参数矩阵文件，i=1、2、3，j=1、2、3，s44、s45、s54、s55为真实谐振器的散射参数； 获取待测试谐振器的散射参数矩阵文件包括以下子步骤： 根据真实谐振器的版图建立待测试谐振器的电磁仿真模型； 根据真实谐振器的工作频段对所述电磁仿真模型进行扫频得到所述散射参数矩阵文件；所述散射参数矩阵文件为所述待测试谐振器的输入端口、输出端口以及仿真端口的文件，所述文件包括不同频率的散射参数； 根据所述散射参数矩阵文件构建包含真实谐振器的原理电路包括以下子步骤： 将所述真实谐振器安置于所述待测试谐振器的仿真端口； 根据所述文件以及真实谐振器的输入端口和真实谐振器的输出端口构建所述原理电路。

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