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龙图腾网获悉苏州盛拓半导体科技有限公司申请的专利一种无掩膜光刻机的对焦方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119596652B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510142222.5，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权一种无掩膜光刻机的对焦方法及装置是由陈庆生;孙明阳;汤国峰设计研发完成，并于2025-02-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种无掩膜光刻机的对焦方法及装置在说明书摘要公布了：本发明涉及光学技术技术领域，具体涉及一种无掩膜光刻机的对焦方法及装置，包括以下步骤：S1：确定位移台的初始位置，并采集初始位置的光强：S2：控制位移平台在z轴上移动，并采集光强确定光强最大值时的位置；S3：驱动位移台移动至与光强最大值间隔一个粗步长的位置；S4：使用爬山法进行粗定位确定焦平面的大概位置；S5：焦平面的细定位：设定一个细步长，在步骤S4附近±一个粗步长，驱动位移台按照细步长的长度在此区间移动，并获得最大的光强为P1；S6：确定最佳正焦位置：在焦点附近继续采用爬山法搜寻最佳焦点位置，计算每次的评价函数值，将本次计算值与数据库比较，依据函数值变化确定搜索方向和步长，高校寻找正焦位置。

本发明授权一种无掩膜光刻机的对焦方法及装置在权利要求书中公布了：1.一种无掩膜光刻机的对焦方法，其特征在于，包括以下步骤： S1：确定位移台（4）的初始位置，并采集初始位置的光强：确定位移台（4）z轴方向上的总长度L，当位移台（4）不在初始位置时，驱动位移台（4）移动至初始位置； S2：控制位移平台在z轴上移动，并采集光强确定光强最大值时的位置； S2.1：设定一个粗步长； S2.2：位移台（4）沿z轴方向按照粗步长的长度进行移动，并采集每个步长的光强直至移动距离l=L，并采集移动过程中的最大光强P； S3：驱动位移台（4）移动至与光强最大值间隔一个粗步长的位置； S4：在S3粗定位的基础上，使用爬山法对光强值或图像清晰度进行比较确定焦平面的大概位置； S5：焦平面的细定位：设定一个细步长，在步骤S4附近±一个粗步长，驱动位移台（4）按照细步长的长度在此区间移动，并获得最大的光强为P1； S6：确定最佳正焦位置：在焦点附近继续采用爬山法搜寻最佳焦点位置，计算每次的评价函数值，将本次计算值与数据库比较，依据函数值变化确定搜索方向和步长，高效寻找正焦位置。

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