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龙图腾网获悉华侨大学申请的专利一种碳化硅控制器用高频滤波器及其设计方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119483532B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510058469.9，技术领域涉及：H03H5/00；该发明授权一种碳化硅控制器用高频滤波器及其设计方法是由郭新华;吴森炜;周思齐设计研发完成，并于2025-01-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种碳化硅控制器用高频滤波器及其设计方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种碳化硅控制器用高频滤波器及其设计方法，高频滤波器包括一大一小跑道型磁环、X电容、Y电容以及用于装载上述滤波元件的集成滤波器结构，实现滤波器小型化。其设计方法具体包括，计算干扰源的频率和传导干扰电压转移增益上限；确定初始拓扑结构和优化顺序；初始化滤波电路各元件元素值；遗传算法进行元素值迭代优化；修饰当代最优元素个体；判断能否优化元素组成成分；更改滤波元素顺序或拓扑结构；计算各元素是否满足约束条件最佳滤波器方案。旨在解决传统滤波器设计已难以有效应对新能源车用碳化硅控制器带来的高频电磁干扰的问题。

本发明授权一种碳化硅控制器用高频滤波器及其设计方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅控制器用高频滤波器，其特征在于，包括：大磁环、小磁环、X电容、Y电容、隔离塑片、以及第一铜排和第二铜排，其中，所述第一铜排穿过所述大磁环和所述小磁环的环体与外部电源线的正极进行连接，所述第二铜排穿过所述大磁环和所述小磁环的环体与外部电源线的负极进行连接，所述大磁环与所述小磁环之间开设有一间隔空间，所述隔离塑片配置在所述间隔空间内，所述X电容配置在所述隔离塑片上，所述Y电容配置在所述小磁环上； 其中，所述X电容的第一引脚与所述第一铜排连接，所述X电容的第二引脚与所述第二铜排连接，所述Y电容的第一端与所述第一铜排和第二铜排连接，所述Y电容的第二端接地，所述隔离塑片配置为分隔正负极线； 所述碳化硅控制器用高频滤波器的元件初始参数基于传导干扰电压转移增益上限进行计算，具体为： 定义滤波器体积为：，其中，i表示磁环数量，i≥Lmini，Lmini为最少电感数量，j为X电容数量，k为Y电容数量，j、k≥0，为磁环的体积，为X电容的体积，为Y电容的体积； 根据电流等级确定第一铜排和第二铜排的最小截面积S； 假设铜排宽度为B，厚度为A，根据公式c=U2000计算铜排表面喷涂环氧树脂厚度c，其中，U为滤波器的工作电压； 确定所述第一铜排和所述第二铜排之间的距离E； 定义磁环体积与电感大小的关系，磁环的电感值表示为：，其中，L为磁环线圈的电感，F为磁环的横截面，l为磁环磁路的平均长度，为磁环的相对磁导率，是频率f的函数，，为最小电感值； 将公式和代入磁环的电感值表达式中，得到，，其中，D为跑道磁环高度，H为跑道磁环厚度，R为跑道磁环曲面内径，R1为跑道磁环曲面外径，G为跑道磁环直线长度； 根据公式计算得到单个磁环的体积； 使用遗传算法GA优化所述碳化硅控制器用高频滤波器的元件参数，具体为： 对于所述高频滤波器的滤波电路中第m和m+1个元素构成的级联网络，其传输矩阵的计算公式为：，其中，N1、N2、N3、N4为传输矩阵中具体参数； 定义矩阵M数学表达式为：，其中，detN为矩阵N的行列式的值； 矩阵M中各元素的约束条件为：，以此作为预设的约束条件对滤波器拓扑结构进行迭代优化； 使用遗传算法对磁环，X电容，Y电容进行拓扑结构迭代演化； 当判断到一个元件的传输参数矩阵对整个滤波器的传输参数矩阵影响小于预设值时，从滤波器中去除； 当判断到两个元件并联或串联后的传输参数对整个滤波器的传输参数矩阵影响小于预设值时，将两个元件并联或串联； 在满足预设的约束条件下，根据公式对比计算元件去除、并串联前后的体积； 若，则根据最新迭代的结果继续进行拓扑优化； 若，根据上一次迭代的结果进行下一步计算。

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