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龙图腾网获悉鸿舸半导体设备(上海)有限公司申请的专利一种半导体晶圆缺陷的检测方法和装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119470564B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510052608.7，技术领域涉及：G01N25/72；该发明授权一种半导体晶圆缺陷的检测方法和装置是由冯建设计研发完成，并于2025-01-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体晶圆缺陷的检测方法和装置在说明书摘要公布了：本申请提供了一种半导体晶圆缺陷的检测方法和装置，在本申请中，在使用红外线加热管对半导体晶圆进行照射后，会对半导体晶圆加热，当半导体晶圆表面存在划痕、坑点和裂纹等缺陷时，这些缺陷会阻碍热能传播，造成局部的热量积累或散失，从而导致缺陷部位的温度和无缺陷处的温度存在差异，基于这一原理，当半导体晶圆表面存在缺陷时，对半导体晶圆加热后进行红外成像，由于不同的温度在红外图像中对应的像素值是不同的，因此在得到加热后的半导体晶圆的红外图像后，可以通过对像素点的像素值进行分析可以得到半导体晶圆是否存在缺陷，通过上述方式可以提高半导体晶圆表面缺陷的准确率，从而有利于提高半导体晶圆的成品率。

本发明授权一种半导体晶圆缺陷的检测方法和装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体晶圆缺陷的检测方法，其特征在于，所述检测方法应用于设备前端模块EFEM设备中，所述EFEM设备上设置有暗箱，所述暗箱内设置有红外线加热管，以及用于采集红外图像的红外摄像机，在天车系统将晶圆盒放置到EFEM设备的备料区后，在所述EFEM设备通过晶圆机械手将所述晶圆盒中的半导体晶圆移送到刻蚀工艺设备进行刻蚀工艺之前，所述检测方法包括： 控制所述晶圆机械手将所述半导体晶圆移送至所述暗箱的指定位置处，并控制所述红外摄像机对所述半导体晶圆进行拍照，得到第一红外图像； 控制所述红外线加热管对所述半导体晶圆进行照射，以便对所述半导体晶圆进行加热，停止加热并在预设时长后控制所述红外摄像机对所述半导体晶圆进行拍照，得到第二红外图像； 在将所述第一红外图像和所述第二红外图像对齐后，对所述第一红外图像和所述第二红外图像相同位置上的像素点进行比对，从所述第二红外图像中确定像素值变化量大于预设阈值的像素点构成的目标区域； 对所述目标区域中的像素点的像素值进行去重，并对去重后的像素值按照从小到大的顺序进行排序，得到像素值序列； 利用如下公式确定所述像素值序列中的排序位置： ； 其中，N为所述像素值序列中包括的像素值的总数量，K的依次取值为1和3； 利用如下公式计算像素值阈值范围： R1=Q1-1.5M； R2=Q3+1.5M； 其中，Q1为K1取值为1时，采用四舍五入得到的排序位置I对应的第一像素值，Q3为K1取值为3时，采用四舍五入得到的排序位置I对应的第二像素值，M为所述第二像素值和所述第一像素值的差值； 判断所述像素值序列中是否存在未落入所述像素值阈值范围的目标像素值； 如果存在所述目标像素值，则确定所述半导体晶圆存在缺陷。

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