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龙图腾网获悉江苏凯威特斯半导体科技有限公司申请的专利一种基于抛光机构的半导体衬底无机涂层清洗方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119811982B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411850110.7，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权一种基于抛光机构的半导体衬底无机涂层清洗方法是由薛弘宇;杜薛林;范彦丽;李伟东;朱文健;张牧;唐畅;严汪学;桂传书设计研发完成，并于2024-12-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于抛光机构的半导体衬底无机涂层清洗方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体制造技术领域，并公开了一种基于抛光机构的半导体衬底无机涂层清洗方法，包括S1.准备工作，清洗液配制，根据衬底无机涂层及可能沾染的杂质情况，准确配制所需的化学清洗液，同时准备好超纯水；S2.初步冲洗，将从抛光机构取下的带有无机涂层的半导体衬底放置在清洗机的冲洗架上，使用温和的超纯水缓慢冲洗衬底表面，目的是冲掉一些松散附着、容易去除的大颗粒杂质。该发明设置有限位件，将晶圆随支撑块移动至间隙空间底端时，除在间隙上方进行导向的支撑块对其底端中部进行限位外，晶圆下端侧边与贴合的密封环一和密封环二接触，对晶圆底端侧边支撑，起到填充间隙避免晶圆放置时位置偏移碰撞的情况。

本发明授权一种基于抛光机构的半导体衬底无机涂层清洗方法在权利要求书中公布了：1.一种基于抛光机构的半导体衬底无机涂层清洗方法，其特征在于，包括： S1.准备工作，清洗液配制，根据衬底无机涂层及可能沾染的杂质情况，准确配制所需的化学清洗液，同时准备好超纯水； S2.初步冲洗，将从抛光机构取下的带有无机涂层的半导体衬底放置在清洗机的冲洗架上，使用温和的超纯水缓慢冲洗衬底表面，目的是冲掉一些松散附着、容易去除的大颗粒杂质； S3.化学溶液浸泡，将初步冲洗后的衬底小心放入已配制好的化学清洗液中，确保衬底完全浸没在溶液中，缓慢晃动衬底，使衬底表面的杂质能充分与化学溶液接触并发生化学反应，取出衬底接着立即用大量流动的超纯水对衬底进行充分冲洗，超纯水冲洗的目的是去除衬底表面残留的化学清洗液以及反应生成的产物，确保冲洗后的水接近中性，且从衬底表面流下的水清澈无杂质残留； S4.物理清洗，超声波清洗，将经过化学清洗的衬底放入超声波清洗槽内，开启超声波清洗机，让衬底在超声波的作用下清洗，利用空化气泡破裂产生的强大冲击力震落衬底无机涂层表面一些通过化学清洗仍残留的微小颗粒杂质，在清洗过程中要留意超声波的功率，避免功率过高损伤衬底或涂层； S5.高压喷射清洗，从超声波清洗槽中取出衬底后，将其放置在合适的固定装置上，使用高压喷射清洗设备，采用超纯水或合适的化学清洗液对衬底进行多角度、多方向地喷射清洗，通过强大的水流冲击力进一步去除杂质，使衬底表面更加洁净； S6.干燥处理，完成上述所有清洗步骤后，将衬底放置在无尘、干燥且温度适宜的环境中自然晾干，避免衬底表面残留水渍，影响后续的半导体制造工艺； 其中，S2中所述清洗机包括清洗槽1，所述清洗槽1内壁设置有搅动清洗液的搅拌件3，所述搅拌件3中部设置有活动件4，所述清洗槽1内部设置有放置晶圆的清洗架2，所述清洗架2顶端固定连接有与清洗槽1侧壁卡合连接的卡板21，所述清洗架2内壁设置有对晶圆进行间隔的分隔板22，所述分隔板22内壁设置有晶圆底端侧边进行支撑的限位件26，所述分隔板22彼此之间的间隔空间内设置有对晶圆底部进行支撑和导向的缓冲件23，分离状态的所述缓冲件23和限位件26能够共同对放置在清洗架2内的晶圆进行多角度支撑限位； 其中，所述清洗槽1内壁设置有与搅拌件3中部连接的活动件4，所述活动件4随搅拌件3活动对限位件26和缓冲件23位置进行调节，增大晶圆与清洗液接触面积。

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