中国科学院半导体研究所李明获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院半导体研究所申请的专利高密度、三维封装集成光收发芯片架构获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119653888B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411768308.0,技术领域涉及:H10F55/10;该发明授权高密度、三维封装集成光收发芯片架构是由李明;彭杰;李伟;谢毓俊;祁楠;赵洸铭;王鹏设计研发完成,并于2024-12-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本高密度、三维封装集成光收发芯片架构在说明书摘要公布了:本公开一种高密度、三维封装集成光收发芯片架构,涉及集成光电子技术领域。高密度、三维封装集成光收发芯片架构,包括层叠设置的光信号发射层、衬底、光信号接收层和印刷电路板;其中,光信号接收层上远离衬底的表面设有的第一匹配电路芯片,用于将光信号接收层接收探测到的信号放大处理;印刷电路板设有凹槽,用于将第一匹配电路芯片嵌入凹槽中与印刷电路板连接。
本发明授权高密度、三维封装集成光收发芯片架构在权利要求书中公布了:1.一种高密度、三维封装集成光收发芯片架构,其特征在于,包括层叠设置的光信号发射层、衬底、光信号接收层和印刷电路板; 其中,所述光信号接收层上远离所述衬底的表面设有的第一匹配电路芯片,用于将所述光信号接收层接收探测到的信号放大处理; 所述印刷电路板设有凹槽,用于将所述第一匹配电路芯片嵌入所述凹槽中与所述印刷电路板连接; 还包括: 激光器芯片,设置于所述光信号发射层上远离所述衬底的表面,用于发射第一光信号; 第二匹配电路芯片,设置于所述光信号发射层上远离所述衬底的表面,用于驱动所述第一光信号进行调制。
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