武汉大学张召富获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉大学申请的专利一种导模法生长氧化镓晶体的热场结构、装置及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119372769B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411698819.X，技术领域涉及：C30B15/34；该发明授权一种导模法生长氧化镓晶体的热场结构、装置及方法是由张召富;殷长帅;孟标;梁康;魏强民;严钰婕设计研发完成，并于2024-11-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种导模法生长氧化镓晶体的热场结构、装置及方法在说明书摘要公布了：本发明涉及集成电路半导体制造的技术领域，具体涉及一种导模法生长氧化镓晶体的热场结构、装置及方法，包括第一保温桶，所述第一保温桶中心轴处设置有横截面为长方形的晶体生长通道，所述第一保温桶的侧壁开设有分别贯通侧壁且与晶体生长通道连通的第一气流通道、第二气流通道和第三气流通道，所述第一气流通道的内径、第二气流通道的内径和第三气流通道的内径依次增大，所述第二气流通道和第三气流通道沿第一保温桶的外径均匀分布，第一气流通道位于第二气流通道和第三气流通道下方。本发明的上热场结构，通过开设不同内径的气流通道，改善热场的方式更为灵活，通过控制气流通道的开启和关闭能有效调节炉内温场分布。
本发明授权一种导模法生长氧化镓晶体的热场结构、装置及方法在权利要求书中公布了：1.一种导模法生长氧化镓晶体的热场结构，其特征在于：包括第一保温桶，所述第一保温桶中心轴处设置有横截面为长方形的晶体生长通道，所述第一保温桶的侧壁开设有分别贯通侧壁且与晶体生长通道连通的第一气流通道、第二气流通道和第三气流通道，所述第一气流通道的内径、第二气流通道的内径和第三气流通道的内径依次增大，所述第二气流通道和第三气流通道沿第一保温桶的外径均匀分布，第一气流通道位于第二气流通道和第三气流通道下方； 所述第一气流通道、第二气流通道和第三气流通道分别设置于第一保温桶的侧壁并横向贯通所述晶体生长通道和侧壁； 所述第二气流通道为多个，均匀排布成至少一列横向贯穿所述晶体生长通道的窄侧壁，所述第三气流通道为多个，均匀排布成至少一列横向贯穿所述晶体生长通道的宽侧壁，所述第一气流通道为多个，均匀分布于第二气流通道和第三气流通道的下方。
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