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龙图腾网获悉重庆市计量质量检测研究院申请的专利基于透射古斯汉欣位移的一维光子晶体参数测量方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119573588B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411650291.9，技术领域涉及：G01B11/16；该发明授权基于透射古斯汉欣位移的一维光子晶体参数测量方法是由岳翀;徐健;陶磊;熊俊;陈锌设计研发完成，并于2024-11-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于透射古斯汉欣位移的一维光子晶体参数测量方法在说明书摘要公布了：一种基于透射古斯汉欣位移的一维光子晶体参数测量方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：利用透射古斯汉欣位移测量装置测量一维光子晶体的透射TM偏振波的光点位置信息；步骤S2：根据光点位置信息，得到一维光子晶体的入射波长‑透射古斯汉欣位移关系曲线，并计算得到TM偏振波下的透射古斯汉欣位移；步骤S3：建立一维光子晶体结构参数的评价函数，将透射古斯汉欣位移、基底参数以及膜层折射率信息代入评价函数中，进行反演计算，以一维光子晶体的周期数及周期内各层厚度作为决策参量，根据评价函数的大小判断解的精确度，得到评价函数最小时一维光子晶体的结构参数向量a。效果：能够实现任何基底表面的一维光子晶体的快速、无损检测。

本发明授权基于透射古斯汉欣位移的一维光子晶体参数测量方法在权利要求书中公布了：1.一种基于透射古斯汉欣位移的一维光子晶体参数测量方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤S1：测量一维光子晶体透射TM偏振波的光点位置信息：利用透射古斯汉欣位移测量装置测量一维光子晶体的透射TM偏振波的光点位置信息； 步骤S2：数据处理得到入射波长-透射古斯汉欣位移关系曲线：根据所述光点位置信息，得到一维光子晶体的入射波长-透射古斯汉欣位移关系曲线，并计算得到TM偏振波下的透射古斯汉欣位移； 步骤S3：建立一维光子晶体结构参数的评价函数，将所述透射古斯汉欣位移代入所述评价函数中，进行反演计算，根据评价函数的大小判断解的精确度，得到评价函数最小时一维光子晶体的结构参数向量a； a＝dL，dH，N，其中，N表示周期数，dL表示周期内低折射率层的厚度，dH表示周期内高折射率层的厚度； 所述评价函数的表达式如下： 其中，Q为涉及到的总的入射波长数量，i,a表示通过反演计算得到的TM偏振波下的透射古斯汉欣位移，i表示从实验测得的透射古斯汉欣位移曲线中提取的TM偏振波下的第i个参考点的透射古斯汉欣位移；a表示结构参数向量。

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