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龙图腾网获悉广东工业大学申请的专利一种MOSFET的内部空洞缺陷检测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119643599B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411547460.6，技术领域涉及：G01N23/04；该发明授权一种MOSFET的内部空洞缺陷检测方法是由蔡念;唐焕康;李浩楠;许少秋;王晗设计研发完成，并于2024-11-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种MOSFET的内部空洞缺陷检测方法在说明书摘要公布了：本发明涉及缺陷检测的技术领域，提出一种MOSFET的内部空洞缺陷检测方法，包括以下步骤：获取MOSFET的X射线图像；检测X射线图像中的晶体管的顶点位置，基于顶点位置确定晶体管区域；将晶体管区域划分为若干个分区，对于每个分区计算分区灰度分布与拟合高斯分布的相似度，判断相似度是否小于预设相似度阈值，若是，则视相似度对应的分区中含有空洞缺陷；否则，基于像素灰度值计算，寻找相似度对应的分区内灰度值最大的像素；判断灰度值最大的像素是否为空洞缺陷像素，若是，则视该分区含有空洞缺陷，否则视该分区不含空洞缺陷；对含空洞缺陷的分区进行空洞缺陷的定位；本缺陷检测方法的结果准确性和计算鲁棒性较好。

本发明授权一种MOSFET的内部空洞缺陷检测方法在权利要求书中公布了：1.一种MOSFET的内部空洞缺陷检测方法，其特征在于，包括以下步骤： 获取MOSFET的X射线图像； 检测所述X射线图像中的晶体管的顶点位置，基于所述顶点位置确定晶体管区域； 将所述晶体管区域划分为若干个分区，对于每个分区计算分区灰度分布与拟合高斯分布的相似度，判断所述相似度是否小于预设相似度阈值，若是，则视所述相似度对应的分区中含有空洞缺陷；否则，基于像素灰度值计算，寻找所述相似度对应的分区内灰度值最大的像素；判断所述灰度值最大的像素是否为空洞缺陷像素，若是，则视该分区含有空洞缺陷，否则视该分区不含空洞缺陷； 对含空洞缺陷的分区进行空洞缺陷的定位； 其中，判断所述灰度值最大的像素是否为空洞缺陷像素时，计算灰度值最大的像素对应的两个相邻像素值邻域的灰度差异最大值，若所述灰度差异最大值超过预设的灰度差异阈值，则视所述灰度值最大的像素为空洞缺陷像素，否则，视灰度值最大的像素对应的分区内不存在空洞缺陷； 设灰度值最大的像素对应的两个相邻像素值邻域的第一个像素值邻域的尺寸为，第二个像素值邻域的尺寸为，则所述灰度差异最大值的表达式包括： 式中，表示灰度值最大的像素所在的分区，表示分区内的最大灰度差异值，表示邻域扩张系数，表示邻域扩大的步长，表示最大的邻域扩张系数，表示绝对值运算，表示转置符号，表示第一个像素值邻域的均值函数，表示第二个像素值邻域的均值函数。

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