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北京智创芯源科技有限公司请求不公布姓名获国家专利权

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龙图腾网获悉北京智创芯源科技有限公司申请的专利一种PN结材料载流子浓度与迁移率的测试方法和应用获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119492968B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411470267.7,技术领域涉及:G01R31/26;该发明授权一种PN结材料载流子浓度与迁移率的测试方法和应用是由请求不公布姓名设计研发完成,并于2024-10-21向国家知识产权局提交的专利申请。

一种PN结材料载流子浓度与迁移率的测试方法和应用在说明书摘要公布了:本发明涉及半导体的技术领域,公开了一种PN结材料载流子浓度与迁移率的测试方法和应用。测试方法包括:对N型衬底进行霍尔测试得到N型衬底的载流子浓度n与迁移率μn;N型衬底上掺杂P型离子,形成P‑on‑N结构样品,对样品进行霍尔测试,测得霍尔系数Rh、电阻率ρ;腐蚀液腐蚀P‑on‑N结构样品,形成斜台面,测量腐蚀深度h;利用IV曲线确定结深,得到P层厚度dp与N型层厚度dn;代入计算公式,得到P型载流子浓度p与P型载流子迁移率μp。本发明的PN结材料测试方法,能有效测试电子、空穴的双极性载流子浓度与迁移率,测试方法简单,误差较小,能有效解决载流子测量不准确无法测出P型浓度,测试过程繁琐等问题。

本发明授权一种PN结材料载流子浓度与迁移率的测试方法和应用在权利要求书中公布了:1.一种PN结材料载流子浓度与迁移率的测试方法,其特征在于,包括: S1、对N型衬底进行霍尔测试,得到N型衬底的载流子浓度n与迁移率μn; S2、采用离子注入工艺于N型衬底上掺杂P型离子,形成P-on-N结构样品,并对P-on-N结构样品进行霍尔测试,测得P-on-N结构样品的霍尔系数Rh、电阻率ρ; S3、腐蚀液腐蚀步骤S2得到的P-on-N结构样品,使其形成倾斜面,并测试腐蚀深度h; S4、再利用IV曲线确定结深,得到P-on-N结构的P层厚度dp与N型层厚度dn; PN结材料的P型载流子浓度p与迁移率μp计算公式分别如下式1、式2所示: 其中,上式1与式2中的dp为P层厚度,dn为N型层厚度,q为电子电量,n为N型衬底的载流子浓度,μn为N型衬底的迁移率,Rh为P-on-N结构样品的霍尔系数,ρ为电阻率。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人北京智创芯源科技有限公司,其通讯地址为:100176 北京市大兴区经济技术开发区经海三路106号1幢一层;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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