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龙图腾网获悉南京思维芯半导体有限公司申请的专利一种高性能W波段应用的改进扇出型晶圆级封装工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119252742B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411370084.8，技术领域涉及：H01L21/48；该发明授权一种高性能W波段应用的改进扇出型晶圆级封装工艺是由李垚;朱斌;文凡设计研发完成，并于2024-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高性能W波段应用的改进扇出型晶圆级封装工艺在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体封装技术领域，具体为一种高性能W波段应用的改进扇出型晶圆级封装工艺，包括以下步骤：形成第一面支撑载板并在其上铺设双面胶膜，为后续芯片固定提供支撑；在芯片区域与介质区域之间形成空腔，并在需要的位置形成电镀区域，以防止空气桥结构塌陷；通过倒装贴片将芯片固定在支撑载板上；使用压膜技术固定芯片，确保芯片在后续工艺中的稳定性；通过在芯片区域与介质区域之间形成空腔，防止空气桥结构塌陷，提高结构稳定性，防止晶体管本征性能恶化：通过在有源区表面不附着介质，防止晶体管本征性能恶化，确保器件性能稳定，提高电热性能：通过玻璃穿孔技术实现封装上下的电气连接，提高电热性能。

本发明授权一种高性能W波段应用的改进扇出型晶圆级封装工艺在权利要求书中公布了：1.一种高性能W波段应用的改进扇出型晶圆级封装工艺，其特征在于，包括以下步骤： 第一步：形成第一面支撑载板并在其上铺设双面胶膜，为后续芯片固定提供支撑； 第二步：空腔与电镀区域的形成，在芯片区域与介质区域之间形成空腔，以防止空气桥结构塌陷，并在需要的位置形成电镀区域； 第三步：进行倒装贴片，将芯片通过倒装贴片的方式固定在支撑载板上； 第四步：压膜固定芯片，使用压膜技术固定芯片，确保芯片在后续工艺中的稳定性； 第五步：玻璃开孔，在玻璃中介层区域通过玻璃穿孔技术TGV开孔，实现芯片正负两面的电气连接，并对芯片背面进行电热处理； 第六步：薄层金属电镀，在需要电镀的位置进行薄层金属电镀，为后续工艺做准备； 第七步：涂胶，涂覆适当的胶层，为下一步光刻做准备； 第八步：光刻、电镀、去胶和刻蚀种子，完成背面重新布线层RDL的光刻、电镀、去胶和刻蚀种子步骤； 第九步：压膜固定，再次使用压膜技术固定，确保工艺过程中芯片的稳定性； 第十步：形成倒装芯片第二面的支撑载体，为后续处理做准备； 第十一步：解开芯片第一面，并进行临时键合以及第一面的贴膜光刻开口； 第十二步：芯片正面电镀RDL，在芯片正面进行重新布线层RDL的电镀； 第十三步：芯片正面表面钝化，对芯片正面进行表面钝化处理，保护芯片并提高可靠性； 第十四步：芯片第一面支撑载体的再次形成，完成芯片第一面的电路设计与电气连接处理； 第十五步：解开芯片第二面，并在植球处进行激光开口； 第十六步：在植球位置形成引脚，并解开芯片第一面，完成芯片的植球工作。

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