无锡群联电子技术有限公司王其超获国家专利权
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龙图腾网获悉无锡群联电子技术有限公司申请的专利一种N沟MOSFET驱动电路获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223124871U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422385966.3，技术领域涉及：H03K17/687；该实用新型一种N沟MOSFET驱动电路是由王其超;刘富财;冷红健;张思盈设计研发完成，并于2024-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种N沟MOSFET驱动电路在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种N沟MOSFET驱动电路，其包括高侧驱动电路、低侧驱动电路、逻辑控制电路和二极管；所述逻辑控制电路输入端连接N沟MOSFET驱动电路外引脚IN、逻辑控制电路的电源连接N沟MOSFET驱动电路外引脚VDD，逻辑控制电路的地连接N沟MOSFET驱动电路外引脚GND，逻辑控制电路的输出端HI连接高侧驱动电路的逻辑输入端，逻辑控制电路的输出端LI连接低侧驱动电路的逻辑输入端。本实用新型采用逻辑控制电路产生死区控制的两个逻辑信号HI和LI，分别控制高侧驱动电路和低侧驱动电路，实现了在电源调制器系统应用中只提供一个输入逻辑控制的问题，既避免高侧MOS管和低侧MOS管的共态导通，也简化了系统应用。
本实用新型一种N沟MOSFET驱动电路在权利要求书中公布了：1.一种N沟MOSFET驱动电路，其特征在于：包括高侧驱动电路、低侧驱动电路、逻辑控制电路和二极管； 所述逻辑控制电路输入端连接N沟MOSFET驱动电路外引脚IN、逻辑控制电路的电源连接N沟MOSFET驱动电路外引脚VDD，逻辑控制电路的地连接N沟MOSFET驱动电路外引脚GND，逻辑控制电路的输出端HI连接高侧驱动电路的逻辑输入端，逻辑控制电路的输出端LI连接低侧驱动电路的逻辑输入端。
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