台湾积体电路制造股份有限公司廖诗瑀获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利光子装置结构及光子半导体装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223123263U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422367429.6，技术领域涉及：G02B6/12；该实用新型光子装置结构及光子半导体装置是由廖诗瑀设计研发完成，并于2024-09-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本光子装置结构及光子半导体装置在说明书摘要公布了：一种光子装置结构及光子半导体装置，光子装置结构包括基板，基板具有位于其上的顶侧氧化物层。光子装置结构包括位于顶侧氧化物层上的硅层，及位于硅层中的一或多个波导组件。另外，光子装置结构包括反射装置沟槽结构，反射装置沟槽结构位于硅层中，且反射装置沟槽结构包括第一斜面、底面及第二斜面。光子装置结构包括反射装置，反射装置与第一斜面相邻，且反射装置具有相对于底面的反射装置角度且用以将光引导至波导组件中。
本实用新型光子装置结构及光子半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种光子装置结构，其特征在于，包含： 一基板，包含位于其上的一顶侧氧化物层； 一硅层，位于该顶侧氧化物层上； 至少一个波导组件，位于该硅层中； 一反射装置沟槽结构，位于该硅层中，该反射装置沟槽结构具有一第一斜面、一底面及一第二斜面；及 一反射装置，与该第一斜面相邻，该反射装置具有相对于该底面的一反射装置角度且用以将光引导至该至少一个波导组件中。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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