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龙图腾网获悉中北大学申请的专利锥束CT散射校正方法、装置、电子设备和存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119399298B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411346482.6，技术领域涉及：G06T11/00；该发明授权锥束CT散射校正方法、装置、电子设备和存储介质是由陈平;赵浩翔;赵晓杰;魏交统;吴泱序;孔慧华;王苏恺;郭丽娜;孙雪琴;李雨设计研发完成，并于2024-09-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本锥束CT散射校正方法、装置、电子设备和存储介质在说明书摘要公布了：本申请提供了一种锥束CT散射校正方法、装置、电子设备和存储介质。该方法包括：获取采集设备采集的两组工件的DR投影，以及散射校正板的单幅DR投影；基于两组工件的DR投影生成第一DR投影集和第二DR投影集；并基于第一DR投影集和第二DR投影集获得离散散射信号集；对单幅DR投影进行图像处理，获得孔洞区域；基于离散散射信号集和孔洞区域，结合CS理论建立L1范数约束模型，并通过ADMM算法求解，重构出完整散射信号；在第一DR投影集中扣除完整散射信号，获得校正后的DR投影。该方法能够提高散射校正的准确率。

本发明授权锥束CT散射校正方法、装置、电子设备和存储介质在权利要求书中公布了：1.一种锥束CT散射校正方法，其特征在于，所述方法包括： 获取采集设备采集的两组工件的DR投影，以及散射校正板的单幅DR投影； 基于所述两组工件的DR投影生成第一DR投影集和第二DR投影集；并基于所述第一DR投影集和所述第二DR投影集获得离散散射信号集；其中，所述第一DR投影集为在不添加所述散射校正板时扫描工件获取的DR投影的集合；所述第二DR投影集为在添加所述散射校正板时扫描工件获取的DR投影的集合； 对所述单幅DR投影进行图像处理，获得孔洞区域； 基于所述离散散射信号集和所述孔洞区域，结合CS理论建立L1范数约束模型，并通过ADMM算法求解，重构出完整散射信号； 在所述第一DR投影集中扣除所述完整散射信号，获得校正后的DR投影； 其中，所述L1范数约束模型表示为： 其中，x为完整散射信号中的一个散射信号，x*为所述离散散射信号集中的一个散射信号，W＝diag{ωi}∈Rn×n是对角线加权矩阵，Rn×n表示实数矩阵，n为x信号采样点数，ωi为位置矩阵，所述位置矩阵用于表示散射校正板的位置信息；ωi在孔洞区域时，数值为1，在孔洞之外的区域时，数值为0；Dh和Dv是水平差分矩阵和垂直差分矩阵，λ是正则化参数，p和q是稀疏表示系数，分别表示水平和垂直方向的梯度的稀疏表示。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中北大学，其通讯地址为：030051 山西省太原市学院路3号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。