上海积塔半导体有限公司唐旭晖获国家专利权
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龙图腾网获悉上海积塔半导体有限公司申请的专利一种半导体结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223123907U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422355133.2，技术领域涉及：H01L23/544；该实用新型一种半导体结构是由唐旭晖;管子豪;张幼杰设计研发完成，并于2024-09-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体结构在说明书摘要公布了：本实用新型提供一种半导体结构，具有器件区以及位于器件区之间的划片区，半导体结构包括：基底，器件区对应的基底区域形成有半导体器件；金属层，金属层至少包括自基底依次叠置的第一金属层和第二金属层，第一金属层，包括位于划片区内的第一划片区、以及位于器件区的修调区，第二金属层，包括位于划片区内的第二划片区；对准标记，包括第一对准标记和第二对准标记，第一对准标记位于第一划片区内，第二对准标记位于第二划片区内。本实用新型提供的半导体结构能够降低层间误差，有效提高进行激光修调对位时的准确性和稳定性，进一步有效提升半导体芯片产品的良率。
本实用新型一种半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，具有器件区以及位于所述器件区之间的划片区，其特征在于，所述半导体结构包括： 基底，所述器件区对应的所述基底区域形成有半导体器件； 金属层，所述金属层至少包括自所述基底依次叠置的第一金属层和第二金属层，所述第一金属层包括位于所述划片区的第一划片区、以及位于所述器件区的修调区，所述第二金属层包括位于所述划片区的第二划片区； 对准标记，包括第一对准标记和第二对准标记，所述第一对准标记位于所述第一划片区内，所述第二对准标记位于所述第二划片区内。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海积塔半导体有限公司，其通讯地址为：201306 上海市浦东新区自由贸易试验区临港新片区云水路600号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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