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龙图腾网获悉北京大学申请的专利一种高灵活性存储计算阵列获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115831170B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211396106.9，技术领域涉及：G11C5/06；该发明授权一种高灵活性存储计算阵列是由蔡一茂;杨韵帆;王宗巍;鲍盛誉设计研发完成，并于2022-11-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高灵活性存储计算阵列在说明书摘要公布了：本发明提出一种高灵活性存储计算阵列，属于半导体非挥发性存储器与存内计算技术领域。本发明1T1R阵列的字线方向与输入方向垂直,字线驱动用于控制1T1R阵列的字线输入电源电压或地电压，以打开或关闭一列字线，输入单元设有输入寄存器、电压多路选择器和行多路选择器，电压多路选择器根据输入寄存器的值在线性稳压器产生的多个电压中选择一个作为输入，行多路选择器与1T1R阵列的源线连接，1T1R阵列的位线通过输出单元内的列多路选择器连接到钳位电路与模数转换器。利用本发明提供的高灵活性存储计算阵列，可以节省不必要的功耗，且无需数模转换器就能实现多值输入，提高了计算速度，减少了阵列开启次数与因此带来的功耗。

本发明授权一种高灵活性存储计算阵列在权利要求书中公布了：1.一种高灵活性的存内计算阵列，其特征在于，包含1T1R阵列，把1T1R阵列的若干行划分为一个行段，若干列划分为一个列段，每个行段对应一个输入单元，每个列段对应一个输出单元，每个1T1R单元由一个MOS管与一个非挥发性存储器件组成，其中MOS管的栅极与字线连接，MOS管的源极与源线连接，MOS管的漏极与非挥发性存储器件一端连接，非挥发性存储器件一端与MOS管漏极连接，另一端与位线连接，一条源线连接阵列一行中所有单元的MOS管的源极，与输入方向平行；一条位线连接阵列一列中所有单元的非挥发性器件，与输入方向垂直；一条字线连接阵列中一列中所有单元的MOS管的栅极，与输入方向垂直，所述1T1R阵列的外围电路包括字线驱动、输入单元、输出单元、线性稳压器与控制模块，用于选通一条对应的行和一条对应的列，把未选择的行的输入浮空，并把未选择的列对应的字线输入地电压以关闭晶体管，若1T1R阵列被划分为m个行段，在版图设计上对应m个输入单元，同时1T1R阵列被划分为n个列段，在版图设计上对应n个输出单元，每个行段包含B行存储单元，每个列段包含C列存储单元，则一个物理阵列划分为B*C个逻辑阵列，每个逻辑阵列包含的矩阵大小为m行*n列，每次执行向量矩阵乘法选择其中一个逻辑阵列进行计算，并在未选中存储单元上不产生功耗，在逻辑阵列中，选择其中任意行与任意列组成逻辑子阵列进行计算。

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