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龙图腾网获悉常州承芯半导体有限公司申请的专利晶圆的切割方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115592277B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211380570.9，技术领域涉及：B23K26/38；该发明授权晶圆的切割方法是由李青哲;黄玉录;黄仁耀;苏育生设计研发完成，并于2022-11-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本晶圆的切割方法在说明书摘要公布了：一种晶圆的切割方法，包括：提供晶圆，所述晶圆包括若干相互分立的主芯片区、以及位于相邻所述主芯片区之间的切割道区，所述主芯片区内具有器件结构，所述切割道区内具有切割道；在所述切割道区的顶部表面、以及所述切割道的侧壁和底部表面形成第一切割保护层，所述第一切割保护层的材料包括金属氧化物；在形成所述第一切割保护层之后，沿所述切割道对所述晶圆进行切割处理，使得所述晶圆形成若干所述芯片。由于所述第一切割保护层的材料为金属氧化物，能够有效减少在对晶圆进行激光切割时产生的烧结物，进而减少芯片表面附着烧结物，以此提升产品的良率。

本发明授权晶圆的切割方法在权利要求书中公布了：1.一种晶圆的切割方法，其特征在于，包括： 提供晶圆，所述晶圆包括若干相互分立的主芯片区、以及位于相邻所述主芯片区之间的切割道区，所述主芯片区内具有器件结构，所述切割道区内具有切割道； 在所述切割道区的顶部表面、以及所述切割道的侧壁和底部表面形成第一切割保护层，所述第一切割保护层的材料包括金属氧化物； 在形成所述第一切割保护层之后，沿所述切割道对所述晶圆进行切割处理，使得所述晶圆形成若干芯片；其中， 所述器件结构包括：垂直腔表面发射激光器，所述垂直腔表面发射激光器包括上电极层，所述上电极层还位于所述切割道区内，所述第一切割保护层覆盖所述上电极层；其中， 所述第一切割保护层的材料与所述上电极层的材料不同； 所述第一切割保护层的形成方法包括：在所述晶圆上形成光阻层，所述光阻层露出所述切割道区；在所述切割道区的顶部表面、所述切割道的侧壁和底部表面、以及所述光阻层的顶部表面形成第一切割保护材料层；去除所述光阻层以及位于所述光阻层上的所述第一切割保护材料层，形成所述第一切割保护层。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人常州承芯半导体有限公司，其通讯地址为：213166 江苏省常州市武进区国家高新技术产业开发区淹城南路518号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。