新华三半导体技术有限公司张栗榕获国家专利权
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龙图腾网获悉新华三半导体技术有限公司申请的专利一种波形文件生成方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114660437B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210255275.4，技术领域涉及：G01R31/28；该发明授权一种波形文件生成方法及装置是由张栗榕;王锋设计研发完成，并于2022-03-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种波形文件生成方法及装置在说明书摘要公布了：本发明实施例提供了一种波形文件生成方法及装置，涉及芯片测试技术领域，上述方法包括：获得对待测芯片进行仿真过程中生成的波形文件，并获得对所述待测芯片进行仿真过程中产生的各调试信息和产生各调试信息的第一时间戳；分别确定所述波形文件中记录的与每一第一时间戳相近的第二时间戳；基于与各第一时间戳相近的第二时间戳在所述波形文件中的记录位置，分别将各第一时间戳对应的调试信息写入所述波形文件，得到用于对所述待测芯片进行硬件测试的波形文件。应用本发明实施例提供的方案生成的波形包含调试信息，因此，应用所生成的波形文件对芯片进行测试能够提高芯片测试过程中的调试效率。
本发明授权一种波形文件生成方法及装置在权利要求书中公布了：1.一种波形文件生成方法，其特征在于，包括： 获得对待测芯片进行仿真过程中生成的波形文件，并获得对所述待测芯片进行仿真过程中产生的各调试信息和产生各调试信息的第一时间戳，其中，所述波形文件包括：对待测芯片进行仿真过程中所述待测芯片生成的波形数据和产生波形数据的第二时间戳，所述波形文件用于获得对所述待测芯片进行功能测试所需的激励信号，所述调试信息包括：对所述待测芯片进行芯片测试过程中出现的问题进行分析和定位的信息； 分别确定所述波形文件中记录的与每一第一时间戳相近的第二时间戳； 基于与各第一时间戳相近的第二时间戳在所述波形文件中的记录位置，分别将各第一时间戳对应的调试信息写入所述波形文件，得到用于对所述待测芯片进行硬件测试的波形文件。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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