爱思开海力士有限公司吴星来获国家专利权
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龙图腾网获悉爱思开海力士有限公司申请的专利三维半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115206982B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210016875.5，技术领域涉及：H10B41/50；该发明授权三维半导体装置是由吴星来;朴商佑;蔡东赫设计研发完成，并于2022-01-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本三维半导体装置在说明书摘要公布了：一种三维半导体装置可以包括：第一单元区、第二单元区以及设置在第一单元区和第二单元区之间的通孔插塞区；字线层叠体，其设置于第一单元区、通孔插塞区和第二单元区中，字线层叠体包括交替层叠的多条字线及多个层间绝缘层；以及多个通孔插塞，其通过垂直贯穿通孔插塞区中的字线层叠体而分别排它地连接至多条字线。从顶视图看，通孔插塞可以在行方向上具有Z字图案的布置。通孔插塞的直径可以在行方向上增加。
本发明授权三维半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种三维半导体装置，该三维半导体装置包括： 第一单元区、第二单元区以及设置在所述第一单元区和所述第二单元区之间的通孔插塞区； 字线层叠体，该字线层叠体设置在所述第一单元区、所述通孔插塞区和所述第二单元区中，所述字线层叠体包括交替层叠的多条字线和多个层间绝缘层；以及 多个通孔插塞，所述多个通孔插塞通过垂直贯穿所述通孔插塞区中的字线层叠体而分别排它地连接至所述多条字线， 其中，从顶视图看，所述多个通孔插塞在行方向上以Z字图案布置， 所述多个通孔插塞的直径在所述行方向上增加， 所述多条字线中的每一条共同连接到分别设置在所述第一单元区和所述第二单元区中的存储器单元，使得分别设置在所述第一单元区和所述第二单元区中的所述存储器单元通过所述多个通孔插塞中的一个通孔插塞同时导通和截止， 所述通孔插塞区划分为在所述行方向上布置的多个位置， 所述多个位置中的每一个位置包括以Z字图案布置的相同数量的所述通孔插塞， 在所述多个位置中的每一个位置中，从所述顶视图看，多个所述通孔插塞中的至少两个通孔插塞在列方向上彼此交叠，并且 设置于所述多个位置中的每一个位置中的所述通孔插塞具有不同的垂直长度。
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