厦门市三安集成电路有限公司武吉龙获国家专利权
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龙图腾网获悉厦门市三安集成电路有限公司申请的专利一种晶圆级掩模版及电镀工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114371595B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210000261.8，技术领域涉及：G03F1/00；该发明授权一种晶圆级掩模版及电镀工艺是由武吉龙;邱宗德;郭佳衢;起江设计研发完成，并于2022-01-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种晶圆级掩模版及电镀工艺在说明书摘要公布了：一种尺寸大于晶圆片的晶圆级掩模版，其具有器件图形区、包围器件图形区且直径小于晶圆片的环状保护区，及设于环状保护区外围用于将掩模版固设于光刻机曝光光路上的支撑区；使用该掩模版的电镀工艺为：在晶圆片表面旋涂负性或正性光阻，洗边后使用晶圆级掩模版进行曝光、显影，在环状保护区下方形成包围器件图形层且直径小于晶圆片的环状光阻层；将晶圆片转移至电镀机台，电镀机台的密封压环压接于环状光阻层后，向器件图形层通入电镀液，电镀完成后排出电镀液、移除光阻层，获得具有器件电镀层的晶圆片，本工艺利用晶圆级掩模版曝光显影形成的环状光阻层与密封压环紧密接合，有效避免晶圆片边缘漏出电镀液对后续制程造成影响，提升产品良率。
本发明授权一种晶圆级掩模版及电镀工艺在权利要求书中公布了：1.一种使用晶圆级掩模版的电镀工艺，其特征在于，包括以下步骤： 步骤一、晶圆片表面旋涂负性光阻，洗边0.5mm至2mm，使负性光阻层直径小于晶圆片； 步骤二、使用晶圆级掩模版进行曝光、显影，获得具有器件图形层及包围器件图形层且直径小于晶圆片的负性环状光阻层的晶圆片；所述晶圆级掩模版具有器件图形区、包围器件图形区且直径小于晶圆片的环状保护区、设于环状保护区外围的支撑区，其中，器件图形区用于曝光显影形成器件图形，环状保护区用于曝光显影后在其下方形成环状光阻层，支撑区用于将掩模版固设于光刻机曝光光路上，所述环状保护区为透光型，用于透过曝光光源并固化其下方负性光阻，显影后形成负性环状光阻层， 步骤三、将晶圆片转移至电镀机台上，电镀机台的密封压环压接于负性环状光阻层后，向器件图形层通入电镀液； 步骤四、电镀完成后排出电镀液、移除负性光阻，获得具有器件电镀层的晶圆片。
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