上海微阱电子科技有限公司左青云获国家专利权
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龙图腾网获悉上海微阱电子科技有限公司申请的专利一种存储器的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114256415B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111535134.X，技术领域涉及：H10N70/20；该发明授权一种存储器的形成方法是由左青云;卢意飞设计研发完成，并于2021-12-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种存储器的形成方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种存储器的形成方法，该方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底内形成有下电极；在所述半导体衬底上淀积氧化物，形成位于所述半导体衬底上的氧阻挡层；在所述氧阻挡层上淀积金属材料，形成位于所述氧阻挡层上的前躯体；对所述前躯体表面进行移除处理，使得所述前躯体表面的自然氧化层被移除；对前躯体进行氧化处理，使得前躯体转换为功能材料层；对功能材料层进行退火处理；在所述功能材料层上形成上电极；图形化上电极、功能材料层和氧阻挡层，形成存储器，该方法因对前躯体进行氧化处理时使用的氧化性气体被隔离在氧阻挡层之上，可以避免下电极被氧化，提高工艺的控制性，有利于提升存储器特性。
本发明授权一种存储器的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器的形成方法，其特征在于，包括： 提供半导体衬底，所述半导体衬底内形成有下电极，所述下电极靠近所述半导体衬底的上表面； 在所述半导体衬底上淀积氧化物，形成位于所述半导体衬底上的氧阻挡层，其中，所述氧化物为氧化硅、氧化铝、氧化锌或氧化铟锡中的至少一种； 在所述氧阻挡层上淀积金属材料，形成位于所述氧阻挡层上的前躯体； 对所述前躯体表面进行移除处理，使得所述前躯体表面的自然氧化层被移除； 对所述前躯体进行氧化处理，使得所述前躯体转换为功能材料层；其中，利用终点检测技术实时监控所述氧化处理的氧化过程，当所述前躯体转换为功能材料层时折射率发生明显改变，停止所述氧化处理对应的工艺； 对所述功能材料层进行退火处理； 在所述功能材料层上形成上电极； 图形化上电极、功能材料层和氧阻挡层，形成存储器。
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