扬州扬杰电子科技股份有限公司赵成获国家专利权
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龙图腾网获悉扬州扬杰电子科技股份有限公司申请的专利一种低应力高导热的IGBT功率模块封装结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114242664B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111501398.3，技术领域涉及：H01L23/14；该发明授权一种低应力高导热的IGBT功率模块封装结构是由赵成;王毅设计研发完成，并于2021-12-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种低应力高导热的IGBT功率模块封装结构在说明书摘要公布了：一种低应力高导热的IGBT功率模块封装结构。包括自下而上依次键合的基板、绝缘衬底基板和芯片；所述绝缘衬底基板包括自上而下依次键合的上金属层、绝缘衬底和下金属层；所述绝缘衬底包括若干第一绝缘衬底基片和第二绝缘衬底基片；若干所述第一绝缘衬底基片分别呈矩形结构，均布间隔设置；所述第二绝缘衬底基片嵌于相邻的第一绝缘衬底基片之间，并其侧面贴合。本发明既提供有效的散热通道，减小器件结温及其对器件特性的影响，又可以有效释放结构应力应变，避免其对绝缘衬底、芯片和焊料层的作用而导致器件的性能劣化和失效。
本发明授权一种低应力高导热的IGBT功率模块封装结构在权利要求书中公布了：1.一种低应力高导热的IGBT功率模块封装结构，包括自下而上依次键合的基板、绝缘衬底基板和芯片；其特征在于，所述绝缘衬底基板包括自上而下依次键合的上金属层、绝缘衬底和下金属层； 所述绝缘衬底包括若干第一绝缘衬底基片和第二绝缘衬底基片； 若干所述第一绝缘衬底基片分别呈矩形结构，均布间隔设置； 所述第二绝缘衬底基片嵌于相邻的第一绝缘衬底基片之间，并其侧面贴合； 若干第一绝缘衬底基片和第二绝缘衬底基片相互嵌入贴合构成大尺寸绝缘衬底基片，并与上金属层和下金属层键合构成绝缘衬底基板，其中各绝缘衬底基片的侧面之间仅仅相互紧密贴合，而不是相互固接。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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