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龙图腾网获悉通富微电子股份有限公司申请的专利多层堆叠高宽带存储器的封装方法及封装结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114464542B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111496033.6，技术领域涉及：H01L21/56；该发明授权多层堆叠高宽带存储器的封装方法及封装结构是由杜茂华设计研发完成，并于2021-12-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本多层堆叠高宽带存储器的封装方法及封装结构在说明书摘要公布了：本发明提供一种多层堆叠高宽带存储器的封装方法及封装结构，该方法包括：分别提供基板以及多组存储器芯片，每组存储器芯片包括第一存储器芯片和第二存储器芯片；第一存储器芯片和第二存储器芯片设置有多个导电通孔；分别将第一存储器芯片与第二存储器芯片进行混合键合，形成多个存储器微模组；在第一存储器芯片朝向基板的表面依次形成第一导电凸块和第二导电凸块；在第二存储器芯片背离基板的表面形成焊盘；通过热压焊工艺将第二导电凸块和焊盘相嵌套，以将多个存储器微模组依次绝缘堆叠在基板上；通过回流焊工艺将堆叠完成的多个存储器微模组和基板进行回流焊接；形成塑封层。本发明可以实现超多层芯片堆叠，提高生产效率，实现超细间距的互连。

本发明授权多层堆叠高宽带存储器的封装方法及封装结构在权利要求书中公布了：1.一种多层堆叠高宽带存储器的封装方法，其特征在于，所述方法包括： 分别提供基板以及多组存储器芯片，每组所述存储器芯片均包括第一存储器芯片和第二存储器芯片；其中，所述第一存储器芯片和所述第二存储器芯片均设置有多个导电通孔； 分别将每组所述存储器芯片中的所述第一存储器芯片与所述第二存储器芯片进行混合键合，形成多个存储器微模组； 在所述第一存储器芯片朝向所述基板的表面对应所述导电通孔的位置处，依次形成第一导电凸块和第二导电凸块； 在所述第二存储器芯片背离所述基板的表面对应所述导电通孔的位置处形成焊盘； 通过热压焊工艺，将所述第二导电凸块和所述焊盘相嵌套，以减小所述第二导电凸块的变形，实现超细间距的互连，进而将所述多个存储器微模组依次绝缘堆叠在所述基板上；其中， 将所述第二导电凸块和所述焊盘相嵌套的具体过程包括： 在所述焊盘上形成凸起；通过热压焊工艺，将所述凸起压入所述第二导电凸块中；其中，所述第一导电凸块的熔点大于所述第二导电凸块的熔点，并且，所述热压焊工艺的温度小于所述第二导电凸块的熔点； 在酸性气体环境下，通过回流焊工艺，将堆叠完成的所述多个存储器微模组和所述基板进行回流焊接； 形成塑封层，所述塑封层包裹所述多个存储器微模组和所述基板。

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