上海华力微电子有限公司顾经纶获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华力微电子有限公司申请的专利一种横向扩散金属氧化物半导体的子电路模型构建方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114117971B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111433629.1，技术领域涉及：G06F30/32；该发明授权一种横向扩散金属氧化物半导体的子电路模型构建方法是由顾经纶;韩晓婧设计研发完成，并于2021-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种横向扩散金属氧化物半导体的子电路模型构建方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种横向扩散金属氧化物半导体的子电路模型构建方法，包括如下步骤：步骤S1，获取晶圆可接受性测试数据；步骤S2，构建子电路模型，根据经验选择数学模型，选择影响线性阈值电压Vtlin和饱和阈值电压Vtsat以及源漏线性电流Idlin和源漏饱和电流Idsat的典型参数进行公式化，使得各典型参数转换为含有叉指数NF的表达式；步骤S3，针对所述晶圆可接受性测试数据调整所述子电路模型中典型参数的表达式中的次级参数以及紧凑模型中的其他参数，使得子电路模型能够拟合器件随不同叉指数变化的测试数据。
本发明授权一种横向扩散金属氧化物半导体的子电路模型构建方法在权利要求书中公布了：1.一种横向扩散金属氧化物半导体的子电路模型构建方法，其包括如下步骤： 步骤S1，获取晶圆可接受性测试数据； 步骤S2，构建子电路模型，根据经验选择数学模型，选择影响线性阈值电压Vtlin和饱和阈值电压Vtsat以及源漏线性电流Idlin和源漏饱和电流Idsat的典型参数进行公式化，使得各典型参数转换为含有叉指数NF的表达式；所述典型参数包括低场迁移率参数U0、有效迁移率模型中的栅压依赖参数UB和长沟道器件阈值电压VTH0； 步骤S3，针对所述晶圆可接受性测试数据调整所述子电路模型中典型参数的表达式中的次级参数以及紧凑模型中的其他参数，使得子电路模型能够拟合器件随不同叉指数变化的测试数据； 其中，于步骤S2中，采用如下数学模型对影响线性阈值电压Vtlin和饱和阈值电压Vtsat以及源漏线性电流Idlin和源漏饱和电流Idsat的典型参数进行公式化： 其中，P表示相应的典型参数，P0与P2为次级参数，P1表示叉指数。
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