上海华力微电子有限公司黄莉晶获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华力微电子有限公司申请的专利一种检查光刻工艺微小失焦的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114156194B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111437342.6，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权一种检查光刻工艺微小失焦的方法是由黄莉晶设计研发完成，并于2021-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种检查光刻工艺微小失焦的方法在说明书摘要公布了：一种检查光刻工艺微小失焦的方法，包括：提供具有测试键的晶圆，测试键包括间隔设置的第一结构测试键和第二结构测试键；在金属填充完成后，采用负电势模式对具有测试键的晶圆进行检测；在负电势模式下，通过电子束扫描的方法监控第一结构测试键和第二结构测试键的明态或暗态之数量变化判定光刻工艺的失焦程度。本发明通过至少在晶圆的边部设置具有第一测试结构和第二测试结构的测试键，以在负电势模式下，通过电子束扫描的方法监控第一结构测试键和所述第二结构测试键的明态或暗态之数量变化判定光刻工艺的失焦程度，不仅解决了光刻机机台对于晶圆边缘失焦无法监控的问题，而且为晶圆超远边缘失焦监控提供了方案，值得业界推广使用。
本发明授权一种检查光刻工艺微小失焦的方法在权利要求书中公布了：1.一种检查光刻工艺微小失焦的方法，其特征在于，所述检查光刻工艺微小失焦的方法，包括： 执行步骤S1：提供具有测试键的晶圆，所述测试键包括沿X轴方向呈纵向依次交错间隔设置的第一结构测试键和第二结构测试键，所述第一结构测试键之第一单元键与所述第二结构测试键之第二单元键沿X轴方向呈线性布置，且所述第一结构测试键之第一单元键和所述第二结构测试键之第二单元键均沿Y轴方向呈间隔设置； 执行步骤S2：在金属填充完成后，采用负电势模式对所述具有测试键的晶圆进行检测； 执行步骤S3：在负电势模式下，通过电子束扫描的方法监控所述第一结构测试键和所述第二结构测试键的明态或暗态之数量变化判定光刻工艺的失焦程度； 其中，所述测试键至少设置在所述晶圆的边部，所述第一结构测试键在负电势模式下表征为暗态，所述第二结构测试键在负电势模式下表征为亮态。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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